Использование топологий интегральных микросхем. Топология интегральной микросхемы, секрет производства как объекты правовой охраны. Исключительное право на секрет производства

Затем пластину переворачивают, шлифуют и полируют со стороны монокристаллического кремния почти до пленкиSiO2 . Оставшийся перед пленкойSiO2 слой монокристаллического кремния снимают в полирующем травителе. В результате получается подложка с изолированными областями(карманами) монокристаллического кремния. В каждом из карманов обычными приемами планарной технологии формируют необходимые структуры активных и пассивных элементов ИМС. Таким образом, изоляция элементов ИМС осуществляется тонкой пленкой SiO2 . Слой поликристаллического кремния, в котором утоплены области монокристаллического кремния, играет роль несущей подложки.

Изоляция элементов ИМС воздушными промежутками.

Принципиальное отличие изоляции воздушными промежутками от изоляции тонкой пленкой диэлектрика заключается в наличии непроводящей подложки. Этим отличием обусловлены качественно новые характеристики ИМС.

К методам изоляции элементов ИМС воздушными промежутками относятся: декаль-метод, метод балочных выводов, метод «кремний на сапфире» (КНС) и др.

Комбинированный способ изоляции.

Стремление к использованию преимуществ, которыми обладают методы изоляции с помощью обратно смещенногоp -n - перехода и диэлектрической изоляции в единой структуре, привело к созданию комбинированного способа изоляции. При комбинированном способе изоляция элементов с боковых сторон осуществляется диэлектриком, а со стороны дна– обратно смещенным p -n -переходом. Способы комбинированной изоляции, (изопланар, эпипланар, полипланар и др.) наиболее перспективны для получения высокой плотности размещения элементов и улучшения электрических параметров ИМС.

5.8 Разработка топологии полупроводниковых ИМС

Основой для разработки топологии полупроводниковой ИМС являются электрическая схема, требования к электрическим параметрам и к параметрам активных и пассивных элемен-

тов, конструктивно-технологические требования и ограничения. Разработка чертежа топологии включает в себя такие этапы:

выбор конструкции и расчет активных и пассивных элементов ИМС; размещение элементов на поверхности и в объеме подложки и создание рисунка разводки(коммутации) между элементами; разработку предварительного варианта топологии; оценку качества топологии и ее оптимизацию; разработку окончательного варианта топологии. Целью работы конструктора при разработке топологии является минимизация площади кристалла ИМС, минимизация суммарной длины разводки и числа пересечений в ней.

Конструктивно-технологические ограничения при разработке топологии ИМС на биполярных транзисторах. Важней-

шей технологической характеристикой, определяющей горизон-

может быть уверенно сформирован при заданном уровне технологии, например, минимальная ширина окна в окисле кремния, минимальная ширина проводника, минимальный зазор между проводниками, минимальное расстояние между краями эмиттерной и базовой областей и т.д. Пусть минимальный размер, который может обеспечить технология, равен d . Тогда зазор между областью, занимаемой транзистором, и другими элементами ИМС больше минимального размераd на величину боковой диффузии под окисел, которая при разделительной диффузии примерно равна толщине эпитаксиального слоя d э .

Правила проектирования топологии полупроводниковой ИМС. Разработка топологии ИМС – творческий процесс, и его результаты существенно зависят от индивидуальных способностей разработчика, его навыков и знаний. Сущность работы по

созданию топологии ИМС сводится к нахождению такого оптимального варианта взаимного расположения элементов схемы, при котором обеспечиваются высокие показатели эффективности производства и качества ИМС: низкий уровень бракованных изделий, низкая стоимость, материалоемкость, высокая надежность, соответствие получаемых электрических параметров заданным. К разработке топологии приступают после того, как количество, типы и геометрическая форма элементов ИМС определены.

Правила проектирования изолированных областей. Количество и размеры изолированных областей оказывают существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому:

2) к изолирующим p -n -переходам всегда должно быть приложено напряжение обратного смещения, что практически осуществляется подсоединением подложкир- типа, или области разделительной диффузии р- типа, к точке схемы с наиболее отрицательным потенциалом. При этом суммарное обратное напряжение, приложенное к изолирующемур -n- переходу, не должно превышать напряжения пробоя;

3) диффузионные резисторы, формируемые на основе базового слоя, можно располагать в одной изолированной области, которая подключается к точке схемы с наибольшим положительным потенциалом. Обычно такой точкой является контактная площадка ИМС, на которую подается напряжение смещения от коллекторного источника питания;

4) резисторы на основе эмиттерного и коллекторного слоев следует располагать в отдельных изолированных областях;

5) транзисторы типа n -р -n , коллекторы которых подсоединены непосредственно к источнику питания, целесообразно размещать в одной изолированной области вместе с резисторами;

6) транзисторы типа n -р -n , которые включены по схеме с

общим коллектором, можно располагать в одной изолированной области;

7) все другие транзисторы, кроме упомянутых в п. 5 и 6, необходимо располагать в отдельных изолированных областях, т.е. все коллекторные области, имеющие различные потенциалы, должны быть изолированы;

9) количество изолированных областей для диодов может сильно изменяться в зависимости от типа диодов и способов их включения. Если в качестве диодов используются переходы ба- за-коллектор, то для каждого диода требуется отдельная изолированная область, так как каждый катод(коллекторная область n -типа) должен иметь отдельный вывод. Если в качестве диодов используются переходы эмиттер – база, то все диоды можно поместить в одной изолированной области. При этом все катоды диодов (эмиттерные области) сформированы отдельно в общем аноде. Аноды диодов с помощью соединительной металлизации закорачивают на изолированную (коллекторную) область;

10) для диффузионных конденсаторов требуются отдельные изолированные области. Исключение составляют случаи, когда один из выводов конденсатора является общим с другой изолированной областью;

11) для диффузионных перемычек всегда требуются - от дельные изолированные области.

Правила размещения элементов ИМС на площади кристалла. После определения количества изолированных областей приступают к их размещению в нужном порядке, размещению элементов, соединению элементов между собой и с контактными площадками, руководствуясь следующими правилами:

1) при размещении элементов ИМС и выполнении зазоров между ними необходимо строго выполнять ограничения, соответствующие типовому технологическому процессу;

2) резисторы, у которых нужно точно выдерживать отношение номиналов, должны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и располагаться рядом друг с другом. Это относится и к другим элементам ИМС, у которых требуется обеспечить точное соотношение их характеристик;

3) резисторы с большой мощностью не следует располагать вблизи активных элементов;

4) диффузионные резисторы можно пересекать проводящей дорожкой поверх слоя окисла кремния, покрывающего резистор;

5) форма и место расположения конденсаторов не являются критичными;

7) для улучшения развязки между изолированными областями контакт к подложке следует располагать рядом с мощным транзистором или как можно ближе ко входу или выходу схемы;

8) число внешних выводов в схеме, а также порядок расположения и обозначения контактных площадок выводов ИМС на кристалле должны соответствовать выводам корпуса;

9) коммутация в ИМС должна иметь минимальное количество пересечений и минимальную длину проводящих дорожек. Если полностью избежать пересечений не удается, их можно осуществить, используя обкладки конденсаторов, формируя дополнительные контакты к коллекторным областям транзисторов, применяя диффузионные перемычки,инаконец, создавая дополнительный слой изоляции между пересекающимися проводниками;

10) первую контактную площадку располагают в нижнем левом углу кристалла и отличают от остальных по ее положению относительно фигур совмещения или заранее оговоренных элементов топологии.

Нумерацию остальных контактных площадок проводят против часовой стрелки. Контактные площадки располагают в зависимости от типа выбранного корпуса по периметру кристалла или по двум противоположным его сторонам;

11) фигуры совмещения располагают одной-двумя группа-

ми на любом свободном месте кристалла; 12) при разработке аналоговых ИМС элементы входных

дифференциальных каскадов должны иметь одинаковую топологию и быть одинаково ориентированными в плоскости кристалла; для уменьшения тепловой связи входные и выходные каскады должны быть максимально удалены; для уменьшения высокочастотной связи через подложку контакт к ней следует осуществлять в двух точках – вблизи входных и выходных каскадов.

Рекомендации по разработке эскиза топологии. Для обеспечения разработки эскиза топологии рекомендуется с самого начала вычертить принципиальную электрическую схему так, чтобы ее выводы были расположены в необходимой последовательности. Каждая линия, пересекающая резистор на принципиальной электрической схеме, будет соответствовать металлизированной дорожке, пересекающей диффузионный резистор по окислу на топологической схеме.

На этапе эскизного проектирования топологии необходимо предусмотреть решение следующих задач: расположить как можно большее число резисторов в одной изолированной области; подать наибольший потенциал на изолированную область, где размещены резисторы; подать наиболее отрицательный потенциал на подложку вблизи мощного транзистора выходного каскада; рассредоточить элементы, на которых рассеиваются большие мощности; расположить элементы с наименьшими размерами и с наименьшими запасами на совмещение в центре эскиза топологии; сократить число изолированных областей и уменьшить периметр каждой изолированной области.

В случае, если принципиальная электрическая схема содержит обособленные группы или периодически повторяющиеся группы элементов, объединенных в одно целое с точки зрения выполняемых ими функций, разработку рекомендуется начинать с составления эскизов топологии для отдельных групп элементов, затем объединить эти эскизы в один, соответствующий всей схеме.

На основе эскиза разрабатывают предварительный вариант топологии, который вычерчивают на миллиметровой бумаге в выбранном масштабе, обычно 100:1 или 200:1 (выбирают мас-

штабы, кратные 100). Топологию проектируют в прямоугольной системе координат. Каждый элемент топологии представляет собой замкнутую фигуру со сторонами, состоящими из отрезков прямых линий, параллельных осям координат. Придание элементам форм в виде отрезков прямых линий, непараллельных осям координат, допустимо только в тех случаях, когда это приводит к значительному упрощению формы элемента. Например, если форма элемента состоит из ломаных прямых, составленных в виде «ступенек» с мелким шагом, рекомендуется заменить их одной прямой линией. Координаты всех точек, расположенных в вершинах углов ломаных линий, должны быть кратны шагу координатной сетки.

В процессе вычерчивания топологии для получения оптимальной компоновки возможно изменение геометрии пассивных элементов, например пропорциональное увеличение длины и ширины резисторов или их многократный изгиб, позволяющие провести над резистором полоски металлической разводки или получить более плотную упаковку элементов. При изменении формы пассивных элементов в процессе их размещения проводят корректировочные расчеты.

При проектировании слоя металлизации размеры контактных площадок и проводников следует брать минимально допустимыми, а расстояния между ними – максимально возможными.

После выбора расположения элементов и контактных площадок, создания рисунка разводки необходимо разместить на топологии фигуры совмещения, тестовые элементы (транзисторы, резисторы и т.д. – приборы, предназначенные для замера электрических параметров отдельных элементов схемы), реперные знаки. Фигуры совмещения могут иметь любую форму (чаще всего квадрат или крест), причем надо учесть, что на каждом фотошаблоне, кроме первого и последнего, имеются две фигуры, расположенные рядом друг с другом. Меньшая фигура предназначена для совмещения с предыдущей технологической операцией, а большая – с последующей. На первом фотошаблоне расположена только большая фигура, а на последнем – только меньшая.

При разработке топологии важно получить минимальную площадь кристалла ИМС. Это позволяет увеличить производительность, снизить материалоемкость и повысить выход годных

ИМС, поскольку на одной полупроводниковой пластине можно разместить большее число кристаллов и уменьшить вероятность попадания дефектов, приходящихся на кристалл. При размерах стороны кристалла до 1 мм ее величину выбирают кратной 0,05 мм, а при размерах стороны кристалла 1…2 мм – кратной 0,1 мм.

Для любой принципиальной электрической схемы можно получить много приемлемых предварительных вариантов топологии, удовлетворяющих электрическим, технологическим и конструктивным требованиям. Любой предварительный вариант подлежит дальнейшей доработке.

Если после уплотненного размещения всех элементов на кристалле выбранного размера осталась незанятая площадь, рекомендуется перейти на меньший размер кристалла. Если этот переход невозможен, то незанятую площадь кристалла можно использовать для внесения в топологию изменений, направленных на снижение требований к технологии изготовления полупроводниковой ИМС. Например, можно увеличить размеры контактных площадок и расстояния между контактными площадками, ширину проводников и расстояние между ними, по возможности выпрямить элементы разводки, резисторы, границы изолированных областей. Пример общего вида топологии приведен на рис. 5.25.

Проверка правильности разработки топологии ИМС. По-

следний из составленных и удовлетворяющий всем требованиям вариант топологии подвергают проверке в такой последовательности. Проверяют соответствие технологическим ограничениям: минимальных расстояний между элементами, принадлежащими одному и разным слоям ИМС; минимальных размеров элементов, принятых в данной технологии, и других технологических ограничений; наличия фигур совмещения для всех слоев ИМС; размеров контактных площадок для присоединения гибких выводов; расчетных размеров элементов их размерам на чертеже топологии; мощности рассеяния резисторов, максимально допустимой удельной мощности рассеяния, а также обеспечение возможности контроля характеристик элементов ИМС.

Таблица 1

Элементы структуры

Используемый материал

Поверхност-

ное сопротив

Наименование

Наименование

Подложка

Эпитаксиальный

Трехбромный бор

Разделительная

Базовая область

Трехбромный бор

Эмиттерная

Треххлористый

фосфор ОС 449-4

Металлизация

Алюминий А99

Скрытый слой

Трехокись сурьмы

Изолирующая

SiO2

Пассивирующая

SiO2

пленка не показ.

1.Все размеры на чертеже даны в мкм

2. Характеристики и данные по изготовлению отдельных слоев приведены в таблице 1

3. Нумерация контактных площадок и обозначения элементов показаны условно

4. Элементы в слоях выполнять по таблицам координат, приведенным на соответствующих листах чертежа

Кристалл

6 КЭФ 4,5 / 3, 5 КЭС 15 60 200КДБ 10(100)

Рис. 5.25 – Общий вид топологии ИМС на биполярных транзисторах

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Введение

1.Понятие и признаки топологий интегральных микросхем

2.Субъекты права на топологию интегральных микросхем

3.Регистрация топологий интегральных микросхем и уведомление о правах

4.Права авторов топологий интегральных микросхем и иных правообладателей

5.Защита прав авторов топологий интегральных микросхем и иных правообладателей

Заключение

Список литературы

Введение

В современных условиях интегральные микросхемы (ИМС), являясь основой элементной базы современной вычислительной техники, играют решающую роль в развитии полупроводниковой технологии и электронной промышленности. Их создание - процесс трудоемкий, требующий от специалистов высокой квалификации, а также применения новейшей дорогостоящей технологии.

В то же время "пиратское" копирование ИМС позволяет значительно сократить временные и финансовые затраты, необходимые для разработки аналогичных схем. Это дает возможность недобросовестному конкуренту продать ИМС значительно дешевле, чем продает фирма-разработчик, из-за чего последняя несет значительные имущественные потери. В результате процесс разработки и изготовления ИМС становится экономически неэффективным. Это обстоятельство стало причиной поиска путей правовой охраны топологий ИМС в различных странах мира. Впервые она была введена в США (1984 г.) и в Японии (1985 г.). Начиная с 1986 г. в данном направлении активизировалась деятельность стран Западной Европы. В декабре 1986 г. страны - члены ЕЭС одобрили Директиву ЕЭС о правовой охране топологий полупроводниковых изделий. В рамках ВОИС 26 мая 1989 г. в Вашингтоне был подписан (но еще не вступил в силу) Договор об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем. В настоящее время законы о правовой охране топологий ИМС приняты во всех развитых странах мира.

В России разработка такого законодательства обусловлена потребностями национальной экономики и международной торговли. Как и в большинстве стран, российский Закон основан на концепции специальной правовой охраны (sui generis), поскольку иные законодательные средства (патентная охрана, авторско-правовая охрана, обязательственное право и др.) оказались непригодными для этой цели.

1. Понятие и признаки т опологий интегральных микросхем

Топология интегральной микросхемы, как особый объект правовой охраны представляет собой зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. Материальным носителем топологии выступает кристалл интегральной микросхемы, т. е. Часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки. Поскольку разработка топологии требует значительных интеллектуальных усилий, больших затрат времени и использования дорогостоящего оборудования, результаты труда разработчиков нуждаются в признании и правовой охране. Это тем более необходимо, что практически любая топология может быть быстро и относительно дешево скопирована заинтересованными лицами. Как показал опыт развитых стран, наиболее действенной преградой для копирования кристаллов интегральных микросхем является создание специального правового института охраны топологий, не совпадающего ни с авторским, ни с патентным правом. С принятием Закона РФ «О правовой охране топологий интегральных микросхем» от 23 сентября 1992г. подобный правовой институт появился и в российском праве.

В соответствии со ст. 3 Закона правовая охрана, предоставляемая им, распространяется только на оригинальную топологию. Данное положение совпадает с подходом к охране топологий в других странах, уже принявших аналогичные законы, а также полностью согласуется с Вашингтонским договором об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем 1989г. По общему правилу, оригинальной является всякая топология, созданная в результате творческой деятельности автора. При этом топология признается оригинальной до тех пор, пока не доказано обратное. Одним из доказательств отсутствия оригинальности может служить, в частности, общеизвестность топологии разработчикам и изготовителям ИМС на дату ее создания. В случае спора оценка данного обстоятельства дается судом с учетом заключения экспертов. Последние, в свою очередь, должны ориентироваться на знания среднего специалиста и степень доступности материалов, содержащих информацию о спорной топологии. Однако топологии, состоящей из общеизвестных элементов, может предоставляться правовая охрана в тех случаях, когда совокупность (комбинация) этих элементов оригинальна, т. е. является результатом собственных интеллектуальных усилий ее творца.

Оригинальность -- основной и единственный юридически значимый признак, необходимый для предоставления топологии правовой охраны. Ни время создания топологии, ни выполнение формальностей по общему правилу не влияют на само признание топологии объектом охраны, хотя эти обстоятельства и играют известную роль в определении правового режима топологии. По прямому указанию Закона предоставляемая им охрана не распространяется на идеи, способы, системы, технологию или закодированную информацию, которые могут быть воплощены в топологии. Объектом охраны является лишь сама топологическая схема, т. е. взаимное расположение элементов полупроводниковой микросхемы. Что касается способов, относящихся к технологическому процессу изготовления интегральной микросхемы, конструкций кристаллов ИМС и других технических решений, то они при наличии установленных законом критериев могут стать объектами охраны патентного права.
В связи с тем, что до принятия Закона от 23 сентября 1992г. правовая охрана топологиям в России не предоставлялась, с введением такой охраны возник вопрос о правовом режиме тех топологий, которые были созданы до вступления Закона в силу. Эта проблема решается постановлением Верховного Совета РФ «О порядке введения в действие Закона РФ „О правовой охране топологий интегральных микросхем"» от 23 сентября 1992г. следующим образом. В соответствии с общим правилом положения нового Закона распространяются на отношения, связанные с топологиями интегральных микросхем, использование которых в коммерческих целях началось после введения в действие Закона от 23 сентября 1992 г. Напомним, что данный Закон вступил в действие со дня его опубликования, т. е. с 21 октября 1992 г. Таким образом, коммерческое использование топологий, осуществлявшееся до 21 октября 1992 г., однозначно не налагает на пользователей никаких правовых обязанностей. Дальнейшее коммерческое использование топологий также возможно, если оно началось до 21 октября 1992 г. Однако в отношении новейших топологий установлено особое правило, призванное в известной мере обеспечить права их создателей. Если такие топологии будут зарегистрированы в Российском агентстве по правовой охране программ для ЭВМ, баз данных и топологий интегральных микросхем в течение двух лет с даты их первого использования в коммерческих целях, то, хотя бы их использование в России началось до 21 октября 1992г., новый Закон будет применяться к правоотношениям, возникшим после введения его в действие. Иными словами, за использование таких топологий после вступления в действие Закона от 23 сентября 1992г. придется платить, а с момента регистрации топологии в Агентстве -- не только платить, но и спрашивать согласия правообладателя на ее использование.

2. Субъекты права на топологию

Субъектами прав на топологию ИМС являются авторы, их наследники, а также любые физические или юридические лица, которые обладают исключительными имущественными правами, полученными в силу закона или договора. Автором топологии признается лицо, в результате творческой деятельности которого эта топология была создана. В соответствии с Законом от 23 сентября 1992г. автором может быть лишь физическое лицо, непосредственными творческими усилиями которого она создана. Юридическое лицо прав авторства ни при каких обстоятельствах не приобретает и может выступать лишь обладателем прав на ее использование. Если топология создана совместно несколькими физическими лицами, каждое из этих лиц признается автором такой топологии. Непременным условием возникновения соавторства на топологию является внесение разработчиком личного творческого вклада в ее создание. Поэтому лица, оказавшие автору только техническую, организационную или материальную помощь либо способствовавшие оформлению права на использование топологии, на соавторство претендовать не могут. В случае возникновения спора относительно характера вклада лиц, принимавших участие в создании топологии, оценку ему должен дать суд, который может назначить соответствующую экспертизу.

Как и в отношении других объектов интеллектуальной собственности, на признание физического лица автором топологии не влияет ни его возраст, ни состояние дееспособности. Однако осуществление прав, принадлежащих малолетним и недееспособным авторам, возлагается на их родителей или опекунов. Авторские права на топологию признаются как за российскими гражданами, так и за иностранцами. Согласно ст. 13 Закона от 23 сентября 1992г. иностранные физические и юридические лица пользуются правами, предусмотренными настоящим Законом, наравне с физическими и юридическими лицами РФ в силу международных договоров или на основе принципа взаимности. В случае если топология создана в порядке выполнения служебных обязанностей или по заданию работодателя, что и имеет место в подавляющем большинстве случаев, субъектом права на топологию по общему правилу становится работодатель. Аналогичным образом решен в п. 3 ст. 7 Закона от 23 сентября 1992г. и вопрос относительно топологии, созданной автором по договору с заказчиком, не являющимся его работодателем. Однако это лишь общее правило, так как договором между автором и работодателем (заказчиком) может быть предусмотрено сохранение всех прав на топологию за ее создателем. Вопрос о том, какая работа должна считаться выполненной в рамках служебного задания, в отношении топологий решается точно так же, как и применительно к объектам, охраняемым авторским и патентным правом. В частности, учитываются такие факторы, как круг служебных обязанностей разработчика, определенных его должностной инструкцией, характер достигнутого творческого результата, использования работником оборудования и иных материальных ресурсов работодателя и т. п. Следует, однако, иметь в виду, что и в тех случаях, когда разработка была признана служебной, ее автором по российскому законодательству будет считаться непосредственный разработчик, а не его работодатель. За последним закрепляется лишь исключительное право на использование такой топологии, тогда как за непосредственным создателем -- право авторства и другие права, предусмотренные договором с работодателем и действующим законодательством.

После смерти автора субъектом прав на топологию становятся его наследники. Но к наследникам переходят не все права автора, а лишь те, которые носят имущественный характер. При этом исключительные права на использование топологии, срок действия которых ограничивается десятью годами, переходят к наследникам на период, оставшийся до истечения указанного срока. Личные неимущественные права создателя топологии по наследству не передаются, однако наследники могут выступать в их защиту в случае нарушений со стороны третьих лиц.

3 . Регистрация т опологий и уведомление о правах

Особенности, присущие топологиям как результатам интеллектуальной деятельности, выявили нецелесообразность распространения на них норм как авторского, так и патентного права. Наиболее убедительно это подтверждается тем, что применяемые в этих институтах правила, касающиеся оформления прав на достигнутые творческие результаты, являются недостаточно эффективными в отношении топологий. Так, авторским правом охраняются любые творческие произведения, выраженные в объективной форме независимо от выполнения автором каких либо формальностей. В принципе, подобный подход применим и в отношении охраны топологий, что и нашло отражение в Законе от 23 сентября 1992г. Однако при этом, ввиду специфики объекта охраны, возникают серьезные практические трудности, связанные с определением факта копирования топологий и оценкой его существенности.

Указанные трудности в значительной степени были бы преодолены при условии признания топологии объектом патентного права. Однако применение к топологиям традиционной процедуры патентования было бы неоправданным из-за сложности проведения экспертизы на новизну ввиду большого числа идентифицирующих признаков, длительности процедуры патентования, а также большой вероятности получения необъективного результата.

В итоге рассматриваемая проблема была решена в России таким же образом, как и в большинстве других стран, охраняющих топологии, а именно -- путем создания особой системы их регистрации. Особенностью российского законодательства является то, что регистрация топологий не является обязательным условием их правовой охраны. Согласно п. 1 ст. 9 Закона от 23 сентября 1992г. топология регистрируется по желанию автора или иного правообладателя. Сам факт регистрации топологии не носит того конститутивного характера, который имеет в патентном праве официальное признание патентоспособности разработки. Законом охраняются любые оригинальные топологии, независимо от того, зарегистрированы они или нет.

В этой связи следует признать не соответствующей Закону и, следовательно, не имеющей юридической силы норму, закрепленную п. 3 Правил составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную регистрацию топологий интегральных микросхем, согласно которой «регистрация является обязательным условием правовой охраны топологии, не использованной ранее в коммерческих целях где-либо в мире». Агентство, утвердившее данные Правила, наделено правом лишь устанавливать порядок официальной регистрации топологий, а также определять требования к документам заявки на регистрацию. Вводя обязательную регистрацию топологий как условие их правовой охраны, Агентство вышло за пределы предоставленных ему полномочий, и потому его действия, явным образом расходящиеся с Законом, не порождают юридических последствий. Основное назначение регистрации состоит в создании условий, облегчающих признание и защиту прав на топологии в случае неправомерного их использования. Регистрируя новую топологию в специальном государственном органе, автор или иной правообладатель не только публично заявляет о своих правах на достигнутый творческий результат, но и официально удостоверяет те признаки, которые отличают его топологию от уже известных. В случае копирования или иного неправомерного использования топологии третьими лицами факт ее регистрации в значительной степени облегчает процесс доказывания нарушения прав автора или иного правообладателя. Наконец, в связи с тем, что исключительное право на использование топологии действует в течение установленного Законом срока (10 лет), регистрация топологии служит достаточно надежной исходной датой для исчисления указанного срока.
Регистрация топологии осуществляется на основе явочной системы, т. е. без проверки ее оригинальности, которая предполагается присутствующей. Однако п. 2 ст. 9 Закона от 3 сентября 1992г. устанавливает, что заявка на регистрацию может быть подана в срок, не превышающий двух лет с даты первого использования топологии, если оно имело место. Пропуск заявителем указанного срока может служить основанием для отказа в регистрации. После поступления заявки на регистрацию Агентство проверяет наличие необходимых документов и их соответствие установленным законодательством требованиям. При положительном результате проверки Агентство вносит топологию в Реестр топологий интегральных микросхем, выдает заявителю свидетельство об официальной регистрации и публикует сведения о зарегистрированной топологии в официальном бюллетене Агентства. До момента публикации сведений в официальном бюллетене заявителю предоставляется возможность по собственной инициативе или по запросу Агентства дополнять, уточнять и исправлять материалы заявки. Порядок официальной регистрации, формы свидетельств об официальной регистрации, состав указываемых в них сведений установлены Агентством в Правилах составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную регистрацию топологий интегральных микросхем от 5 марта 1993 г. Сведения, внесенные в Реестр топологий, считаются достоверными до тех пор, пока не доказано обратное. Всю ответственность за достоверность указанных сведений несет заявитель.

За осуществление действий, связанных с официальной регистрацией топологий, взимаются регистрационные пошлины, размеры которых установлены Положением о регистрационных сборах за официальную регистрацию программ для ЭВМ, баз данных и топологий интегральных микросхем от 12 августа 1993 г. Для разных видов заявителей размеры регистрационных сборов являются различными. Так, например, за подачу заявки взимается 6000 руб. в случае, если заявителем является юридическое лицо, и 2000 руб., если заявителем является физическое лицо; за внесение топологии в Реестр топологий ИМС взимается, соответственно, 1600 и 800 руб., и т. д. Иностранные юридические и физические лица уплачивают регистрационные сборы в иностранной валюте по особым ставкам, отраженным в Положении.

Наряду с регистрацией топологии в Агентстве создатель топологии или иной правообладатель может предпринимать и иные меры, призванные в известной степени оградить его права от нарушений со стороны третьих лиц или, по крайней мере, облегчить процесс доказывания их нарушения. Достаточно распространенной мерой, носящей технический характер, является введение в топологию разного рода «ловушек» в виде избыточных, не подсоединенных элементов, инициалов разработчика и т. л. Присутствие таких идентифицирующих признаков в топологии кристалла ответчика, как правило, достаточно наглядно доказывает факт неправомерного заимствования чужой топологии. Другой мерой, носящей юридический характер, служит помещение на топологии или на изделии, включающем топологию, предупредительной маркировки. Целью такой маркировки является оповещение всех третьих лиц о том, что топология охраняется законом и не может быть использована без согласия правообладателя. Уведомление об этом делается в виде выделенной прописной буквы Т («Т», (Т), Т Т*), даты начала срока действия исключительного права на использование топологии и информации, позволяющей идентифицировать правообладателя.

Проставление данного знака охраны, как и регистрация топологии в Агентстве, носит факультативный характер и юридически никак не влияет на признание топологии охраняемым объектом. Однако использование предупредительной маркировки дает правообладателю очевидные преимущества. При условии выполнения им этой весьма необременительной операции, лицо, нарушившее его права, не сможет сослаться на то, что правонарушение совершено им невиновно. Кроме того, если значение регистрации ограничивается национальными рамками соответствующего государства, предупредительная маркировка не знает национальных границ и оповещает всех потенциальных пользователей об охраняемых законом правах создателя топологии или его правопреемника.

В соответствии со ст. 12 Закона автор или иной правообладатель может спрашивать правовую охрану топологии в зарубежных странах. Российское законодательство не устанавливает на этот счет никаких особых условий или ограничений. В связи с тем, что в ряде стран обязательным условием охраны топологий является их регистрация в соответствующем государственном органе, автор или иной правообладатель должен оформить и подать заявку в соответствии с требованиями национального законодательства. Расходы, связанные с получением правовой охраны топологии в зарубежных странах, несет лицо, испрашивающее такую охрану, или по соглашению с ним -- иное физическое или юридическое лицо.

4. Права авторов то

В результате создания оригинальной топологии ее автор, а в предусмотренных законом или договором случаях и иные лица, в частности работодатели и заказчики, приобретают ряд субъективных гражданских прав. Так же как в авторском и в патентном праве, указанные права подразделяются на личные неимущественные и имущественные. Среди личных неимущественных прав Закон прямо называет лишь право авторства, которым наделяется непосредственный создатель оригинальной топологии. Данное право носит абсолютный характер и неотделимо от личности автора. Договор, предусматривающий уступку или отказ от права авторства, в соответствии с российским законодательством является ничтожным и не порождает никаких юридических последствий. Право авторства действует в течение всей жизни создателя топологии. С его смертью авторство как субъективное право прекращает свое существование, но охраняется в качестве общественно значимого интереса.

Важнейшей чертой права авторства на достигнутые творческие результаты обычно считается его исключительность. В целом данная характеристика свойственна и праву авторства на топологию. По общему правилу, никто, кроме непосредственного создателя топологии, не может претендовать на то, чтобы считаться в глазах третьих лиц ее творцом. Однако если в авторском и в патентном праве данное положение проводится без каких-либо изъятий, то в рассматриваемой сфере допускается ситуация, когда авторство на одну и ту же топологию может принадлежать разным лицам. Это связано как со спецификой топологий как особых результатов творческой деятельности, так и с особенностями их правовой охраны. В отличие от произведений науки, литературы и искусства, которые считаются неповторимыми творческими достижениями, топология может быть повторена во всех своих существенных признаках другими лицами, не знакомыми с результатами первоначальных разработчиков. В патентном праве, где также возможна подобная ситуация, охраняемое законом право авторства признается за тем разработчиком, который первым достиг патентоспособного результата и позаботился о юридическом закреплении своего приоритета. В законодательстве об охране топологий интегральных микро-схем понятие приоритета отсутствует. Напротив, за автором идентичной топологии, созданной независимо от уже существующей, закрепляются те же права, которые предоставлены создателю оригинальной топологии. Разумеется, в случае возникновения спора об авторстве, автор, повторивший уже достигнутый творческий результат, должен доказать, что он работал самостоятельно и не заимствовал охраняемые законом результаты чужого творческого труда.

Помимо права авторства, к числу личных неимущественных прав создателя топологии следует отнести право на авторское имя. Хотя Закон его прямо и не выделяет, оно, бесспорно, принадлежит автору. В частности, имя действительного создателя топологии в соответствии со ст. 9 Закона должно быть указано в заявке на официальную регистрацию топологии, если только он не отказался быть упомянутым в качестве такового. По желанию автора его имя указывается и в числе сведений, публикуемых в официальном бюллетене Агентства. Право на имя, как и право авторства, с которым оно неразрывно связано, не может отчуждаться, носит абсолютный характер и охраняется бессрочно. Все иные предусмотренные законом права могут принадлежать не только автору, но и другим лицам. Так, правами на регистрацию топологии в Агентстве и применением предупредительной маркировки пользуются не только авторы, но и иные правообладатели. Аналогично обстоит дело и с основным имущественным правом -- исключительным правом на использование топологии. Предполагается, что обладателем данного права является сам создатель топологии, если только по закону или договору им не становится другое лицо, в частности его наследник, работодатель, заказчик или иной правопреемник. Сущность права на использование состоит в исключительной возможности правообладателя по своему усмотрению изготавливать, применять и распространять принадлежащую ему топологию всеми доступными способами и средствами. Другой негативной стороной указанного права является наложение на третьих лиц запрета совершать подобные действия без соответствующего разрешения правообладателя. Закон не дает исчерпывающего перечня закрепляемых за правообладателем форм использования топологии, исходя из того, что все они, за исключением тех, которые прямо указаны в законе, могут реализовываться лишь самим правообладателем или с его согласия.
Исключительное право на использование топологии носит срочный характер. Статья 10 Закона ограничивает срок его действия десятью годами, что соответствует сложившейся международной практике. Установление более продолжительного периода охраны топологий имело бы негативные последствия, поскольку служило бы тормозом научно-технического прогресса. Начало срока действия права на использование топологии определяется по более ранней из следующих дат: а) по дате первого использования топологии, под которой подразумевается наиболее ранняя документально зафиксированная дата введения в хозяйственный оборот где-либо в мире этой топологии или интегральной микросхемы с этой топологией; б) по дате регистрации топологии в Агентстве.
Из приведенного правила есть, однако, одно исключение. В случае появления идентичной оригинальной топологии, независимо созданной другим автором, начальный момент действия права на ее использование определяется по дате начала использования или регистрации ранее созданной топологии. Иными словами, общий срок действия права на использование такой топологии не может превышать десяти лет.

В тех случаях, когда право на использование топологии принадлежит не автору, а работодателю (ст. 7 Закона); автор (в случае смерти автора -- его наследник) имеет право на получение вознаграждения. В отличие от Патентного закона РФ Закон от 23 сентября 1992г. не содержит каких-либо указаний относительно минимального или хотя бы ориентировочного размера причитающегося автору вознаграждения. Все вопросы, связанные с порядком выплаты и размером вознаграждения, решаются договором между автором и работодателем. В связи с этим вполне возможна и такая ситуация, когда автор не вправе претендовать на получение какого-либо особого вознаграждения за создание топологии. Например, условие подобного рода может быть прямо зафиксировано в контракте, заключенном при приеме автора на работу. Если, однако, данный вопрос вообще не был оговорен сторонами, по смыслу Закона работодатель должен выплатить автору специальное вознаграждение. Размер последнего устанавливается соглашением сторон, а в случае невозможности его достижения определяется судом. Закон гарантирует автору топологии или иному правообладателю не только право использовать топологию в собственной сфере, но и предоставляет возможность полной или частичной передачи прав на ее использование другим физическим или юридическим лицам. Предоставление разрешения на использование топологии, равно как и полная уступка прав на такое использование, осуществляется на основании гражданско-правового договора. К числу существенных условий данного договора, которые в обязательном порядке должны быть согласованы сторонами, Закон относит вопросы об объеме и способах использования топологии, порядке выплаты и размере вознаграждения, а также сроке действия договора. Договор о передаче имущественных прав на топологию может быть заключен в простой письменной форме и по соглашению сторон зарегистрирован в Агентстве. Договор о полной уступке всех имущественных прав на топологию, которая зарегистрирована в Агентстве, подлежит обязательной регистрации в Агентстве. Порядок регистрации договоров о полной или частичной уступке прав на топологию отражен в Правилах регистрации договоров на программы для ЭВМ. базы данных и топологии интегральных микро-схем от 5 марта 1993 г. За регистрацию договора о полной уступке всех имущественных прав на топологию ИМС взимается регистрационный сбор в размере 4500 руб.; если по договору передаются лишь отдельные права, размер регистрационного сбора составляет 3500 руб. В случае регистрации договора о полной уступке всех имущественных прав на топологию Агентство вносит необходимые изменения в Реестр топологий ИМС, а также публикует сведения об этом в официальном бюллетене Агентства.
Если права на топологию принадлежат нескольким авторам или иным правообладателям, порядок пользования правами определяется договором между ними. Закон, однако, не содержит никаких указаний относительно того, как быть в той ситуации, когда соглашение сторон не может быть достигнуто. Представляется, что в данном случае по аналогии закона может быть применена ст. 10 Патентного закона РФ, которая гласит, что при отсутствии соглашения между правообладателями каждый из них может использовать охраняемый объект по своему усмотрению, по не вправе предоставлять на него лицензию или уступить патент другому лицу без согласия остальных владельцев. Указанное правило является вполне пригодным для разрешения спора между правообладателями в рассматриваемой сфере ввиду существенного сходства характера права на использование охраняемых объектов.

Закрепляя за автором топологии или иным правообладателем исключительное право па ее использование, Закон устанавливает ряд изъятий из сферы этого права. Прежде всего не признается его нарушением использование законно приобретенных интегральных микро-схем или изделий, содержащих такие микросхемы, если осуществляющее такое использование лицо не знало и не должно было знать, что эти интегральные микросхемы или содержащие их изделия изготовлены и распространяются с нарушением исключительного права на использование топологии (п. 1 ст. 8 Закона). Речь в данном случае идет о так называемом невиновном нарушителе, действия которого объективно носят противоправный характер, но с субъективной стороны его не в чем упрекнуть, поскольку он не знал и не должен был знать о том. что совершает правонарушение. Такая ситуация возникает, например, при использовании топологии в изделиях, приобретенных у третьих лиц, когда приобретатель не имел никаких оснований пола-гать, что приобретает контрактный товар. Невиновный нарушитель может ссылаться в оправдание своих действий на отсутствие на топологии или изделии, включающем топологию, предупредительной маркировки, на то, что топология не зарегистрирована в Агентстве и, следовательно, не опубликовано сведений о ее охране и т. п. Доказанность нарушителем своей невиновности исключает применение к нему предусмотренных Законом мер гражданско-правовой ответственности, но не освобождает его от обязанности по выплате правообладателю соразмерной компенсации за каждую интегральную микросхему или каждое изделие, содержащее такую микросхему.

Вторым изъятием из сферы исключительного права на использование топологии является использование топологии в личных целях без извлечения прибыли. Данный случай не требует особых комментариев, поскольку является обычным изъятием из сферы авторских, патентных или иных исключительных прав. К нему близко примыкает и такой разрешенный вид использования топологии, как ее использование в целях оценки, анализа, исследования или обучения. Следует подчеркнуть, что охраняемая топология выступает здесь в качестве объекта оценки, анализа или исследования, но не в качестве их средства. Что касается использования топологии в целях обучения, то в данном случае допускаются любые формы ее использования, способствующие обучению.

Следующий случай свободного использования топологии состоит в распространении интегральных микросхем с охраняемой топологией, введенных в хозяйственный оборот законным путем. Он выражает известный принцип «исчерпания прав», в соответствии с которым любое лицо, ставшее законным обладателем интегральной микросхемы или изделия, в котором она использована, может свободно распоряжаться ими, в том числе передавать третьим лицам, не спрашивая специального разрешения правообладателя. Права автора топологии или иного правообладателя исчерпываются контролем над введением топологии в хозяйственный оборот, но не распространяются на действия по фактическому использованию интегральных микросхем и изделий, их содержащих, третьими лицами, которые получили их на законном основании.
Наконец, не признаются нарушением исключительного права на использование топологии действия по использованию идентичной оригинальной топологии, независимо созданной другим автором. Допускаемая Законом возможность параллельной охраны идентичных топологий, созданных независимо друг от друга разными лицами, с неизбежностью требует признания за каждым из правообладателей прав на самостоятельное использование этих топологий. Поэтому действия каждого из них по использованию топологии не образуют нарушения прав другого (других) правообладателя. Таковы установленные Законом изъятия из сферы исключительного права на использование топологии, перечень которых носит исчерпывающий характер. Важно отметить, что российское законодательство не предусматривает возможности выдачи заинтересованным лицам каких-либо принудительных лицензий на использование охраняемых законом топологий. Всякое иное использование топологий, не подпадающее под рассмотренные выше случаи, может осуществляться лишь на основе заключения с правообладателем соответствующего договора.

5. Защита прав авторов то пологий и иных правообладателей

Нарушение прав авторов топологий и иных правообладателей служит основанием для применения к нарушителям предусмотренных законом санкций. Эти санкции носят разный юридический характер, не совпадают по своей направленности, а также условиям реализации. Так, большинство из них имеет гражданско-правовую природу и направлено прежде всего на восстановление нарушенных прав потерпевших, а если это невозможно -- на удовлетворение охраняемых законом интересов. Некоторые санкции имеют своими основными целями наказание правонарушителей, а также предотвращение нарушений чужих охраняемых законом прав, в связи с чем следует констатировать их административно-правовой характер. Среди гражданско-правовых санкций, в свою очередь, выделяются меры защиты и меры ответственности, которые различаются условиями своего применения, конкретной направленностью и т. п. Как и при защите авторских и патентных прав, выбор конкретных способов защиты зависит от потерпевшего, однако обычно он предопределяется видом нарушенного права, спецификой правонарушения, а также характером наступивших последствий.

Нарушение личных неимущественных прав чаще всего происходит путем их отрицания либо присвоения третьими лицами. Так, право авторства может быть нарушено путем исключения из числа соавторов лица, внесшего творческий вклад в создание топологий, путем выдачи чужой топологии за собственную разработку и т. п. Нарушением права на авторское имя будет не указание имени действительного создателя топологии в заявке на регистрацию или опубликованных сведениях, в искажении имени автора и т. д. Основными способами защиты личных неимущественных прав являются требования автора о признании нарушенного или оспариваемого права, о восстановлении положения, существовавшего до нарушения, и о прекращении действий, нарушающих право или создающих угрозу его нарушения. Исходя из общих положений гражданского права, потерпевший вправе также поставить вопрос об имущественном возмещении нанесенного ему морального вреда. Все указанные требования заявляются в суд и рассматриваются в обычном порядке гражданского судопроизводства.

Нарушения исключительного права на использование топологии образуют любые действия третьих лиц по ее использованию, если они совершаются без согласия правообладателя и не подпадают ни под один из предусмотренных законом случаев свободного использования. Статья 5 Закона от 23 сентября 1992г. называет типичные виды нарушений, относя к ним:

-- копирование топологии в целом или в части путем ее включения в интегральную микросхему или иным образом, за исключением копирования только той ее части, которая не является оригинальной;

-- применение, ввоз, предложение к продаже, продажа и иное введение в хозяйственный оборот топологии или интегральной схемы с этой топологией.

Как видно, указанный перечень возможных нарушений носит лишь примерный характер. Защита имущественных прав потерпевших осуществляется путем пресечения действий, нарушающих их права или создающих угрозу их нарушения, а также путем возмещения убытков. Например, автор топологии или иной правообладатель может требовать наложения запрета на несанкционированные применение или продажу интегральных микросхем с охраняемой топологией. Что касается причиненных убытков, то они подлежат возмещению в полном объеме, включая не только реальный ущерб, понесенный потерпевшим, но и упущенную им выгоду. В связи с тем, что практически реализация данной меры существенно осложнена необходимостью обоснования размера упущенной выгоды, Закон впервые в российском законодательстве устанавливает, что в размер убытков включается сумма доходов, неправомерно полученных нарушителем.

Помимо возмещения причиненных убытков, по усмотрению суда или арбитражного суда с правонарушителя может быть взыскан штраф в размере 10% от суммы, присужденной судом в пользу истца (п. 1 ст. 11 Закона). Указанный штраф налагается на нарушителя в случае неоднократного или грубого нарушения прав потерпевшего и взыскивается в доход республиканского бюджета РФ. В целях повышения эффективности указанных выше санкций и обеспечения их реальной реализации суд или арбитражный суд может вынести решение о конфискации незаконно изготовленных экземпляров интегральных микросхем и изделий, включающих такие микросхемы, а также материалов и оборудования, используемых для их изготовления. Конфискованные материальные объекты по решению суда либо уничтожаются, либо передаются в доход республиканского бюджета РФ или истцу по его просьбе в счет возмещения убытков.

В случае нарушения прав автора топологии его работодателем или заказчиком реализуются прежде всего те санкции, которые предусмотрены заключенным между ними договором. Если в договоре специальные санкции не установлены, создатель топологии может воспользоваться общими мерами защиты, предусмотренными Законом и другими актами гражданского законодательства.

Список литературы

1. Агарков М. М. Избранные труды по гражданскому праву. В 2 т. М.: АО «Центр “ЮрИнфоР”» (в серии «Научное наследие»), 2008

2. Алексеев С. С. Частное право. М.: Статут, 2007 г.

3. Богуславский М. М. Международное частное право. Учеб. 5-е изд., перераб. и доп. М.: Юристь, 2009 г.

4. Брагинский М. И., Витрянский В. В. Договорное право. Книга вторая: Договор о выполнении работ и оказании услуг. М.: Статут, 2008 г.

5. Гражданское право: Учеб. Для вузов. Часть первая / под общ. ред. Т. И. Илларионовой, Б. М. Гонгало, В. А. Плетнева. М.: Издательская группа Норма - Инфра-М, 2009 г.

6. Закон "О правовой охране топологий интегральных микросхем"

Подобные документы

    Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.

    курсовая работа , добавлен 17.02.2010

    Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.

    курсовая работа , добавлен 08.11.2013

    Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.

    реферат , добавлен 12.06.2009

    Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.

    курсовая работа , добавлен 03.12.2010

    Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.

    курсовая работа , добавлен 08.03.2010

    Интегральные микросхемы, сигналы. Такт работы цифрового устройства. Маркировка цифровых микросхем российского производства. Базисы производства цифровых интегральных микросхем. Типы цифровых интегральных микросхем. Схемотехника центрального процессора.

    презентация , добавлен 24.04.2016

    Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.

    презентация , добавлен 29.11.2013

    Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.

    курсовая работа , добавлен 13.01.2009

    Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.

    курсовая работа , добавлен 18.04.2016

    Основные виды структур ИМС. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы. Факторы, ограничивающие степень интеграции. Причины, ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем. Микросборка оптоэлектронных ИМС. Метод элементной избыточности.

Сегодня поговорим о третьем нетрадиционном объекте интеллектуальной собственности - топологии интегральных микросхем. На первый взгляд может показаться, что объект очень сложный, и разобраться в нем может только человек, обладающий глубокими познаниями в области науки и техники, однако в действительности это не так. Постараемся понятно объяснить, в чем сущность этого объекта, и почему он не отнесен к патентному праву.

Понятие и общая характеристика, примеры

Рассматриваемый объект будет относиться к сфере микроэлектроники. В статье 1448 Гражданского кодекса РФ дается определение как интегральной микросхемы, так и ее топологии. Перефразируем, чтобы было понятно.

Интегральная микросхема - это определенное электронное изделие, все элементы в котором соединены и выполняют общую функцию.

Топология интегральных микросхем - это расположение различных элементов на этой микросхеме и связи между ними. Закон говорит о «пространственно-герметическом» расположении этих элементов. Элементы здесь - это блоки, триггеры, формирователи, адресные стеки и все остальное, что мы видим на поверхности любой микросхемы.

Таким образом, закон охраняет не саму микросхему как электронное устройство, а ее топологию - т. е. расположение элементов на поверхности. Скорее всего, это и обусловило природу топологии интегральной микросхемы как нетрадиционного объекта, а не объекта патентного права: система расположения составных частей микросхемы не оказывает существенного влияния на научно-технический прогресс, как это происходит, к примеру, с изобретениями и полезными моделями.

В силу той же статьи 1448 ГК РФ не требуется, чтобы сами элементы были новыми, достаточно, чтобы сами связи между ними являлись оригинальными.

Проанализируем пример из реестра ФИПС - топологию интегральной микросхемы №2017630100, которая называется «Радиочастотная микросхема для водительского удостоверения и свидетельства о регистрации транспортного средства». В описании (реферате) к этому объекту обозначены особенности самой микросхемы, заложенные в ней алгоритмы и технологии - видно, что именно это и было целью творческой деятельности автора. Однако законом охраняться все равно будет пространственное расположение на этой микросхеме ее элементов, а не заложенные в ней технические идеи.

Личные неимущественные права

У топологии есть автор - лицо, которое создало объект своим интеллектуальным трудом. У автора возникает на топологию только право авторства - юридическая возможность считаться автором и одновременно гарантия взыскивать компенсацию морального вреда с лиц, которые могут попытаться присвоить авторство себе. Других личных неимущественных прав в законе не предусмотрено.

Исключительное право

Как обычно, первоначально оно возникает у автора, но на практике правообладателем чаще всего бывает организация. В целом исключительное право на топологии не обладает какими-то отличительными чертами. Закон упоминает следующие действия в рамках использования этого объекта:

  1. Воспроизведение топологии, например, на самой микросхеме. При этом закон разрешает воспроизводить лишь ту часть топологии, которая оригинальная.
  2. Ввоз на территорию России, а также вывоз с нее;
  3. Введение в гражданский оборот как самой топологии, так и микросхемы или другого изделия, где она воспроизведена. Чаще всего основанием будет какая-то сделка, например, купля-продажа.

Закон также упоминает ситуацию, когда другой гражданин придумал топологию, уже созданную кем-то ранее. В таком случае за этим автором будет признаваться исключительное право независимо от лиц, ранее создавших такую же топологию.

Кроме того, в законе закреплены случаи, когда допускается использовать объект без согласия правообладателя. В частности, это:

  1. Использование в личных целях, а также в рамках исследования, анализа.
  2. Распространение микросхем, на которых воспроизведена топология, если они были законно введены в гражданский оборот. Например, если состоялась покупка этой микросхемы.

Срок действия исключительного права на топологию - 10 лет без возможности его продления. При этом закон предусматривает два возможных момента, с которых может начать течь этот срок: в первом случае таковым является момент первого использования этого объекта; во втором случае - это государственная регистрация, произведенная по желанию правообладателя. Решающим будет дата: у какого события она более ранняя - с этого момента и будет течь срок действия исключительного права.

Еще раз вернемся к ситуации, когда два разных человека создали идентичные топологии. Срок в этом случае будет течь с момента использования первой из них, и второму автору придется уже «подстраиваться» под этот срок.

Государственная регистрация

Еще раз обратим внимание, что она не является обязательной. Если обратиться к статистике, то за 2016 год было зарегистрировано всего 174 топологии интегральных микросхем (из 186 заявок). Это немного, сравнивая, например, с количеством зарегистрированных селекционных достижений (их за тот же период было зарегистрировано более 500). Кратко пробежимся по особенностям регистрации.

Зарегистрировать топологию можно в течение срока ее охраны, но если объект уже используется, то подать заявку на регистрацию можно в течение двух лет. Регистрирующим органом является Роспатент, а именно - его подведомственное учреждение, ФИПС.

Заявка подается только на одну топологию. В ней обязательно должно быть:

  1. Заявление;
  2. Материалы, которые идентифицируют топологию (схемы, чертежи), а также реферат, который отражается в свидетельстве на регистрацию. Пример реферата для любой топологии легко найти, если ознакомиться с реестром (о том, как работать с реестром ФИПС - см. эту статью).

Более подробно процедуру можно посмотреть в Приказе Минэкономразвития России от 30.09.2015 N 700.

Таким образом, топология интегральной микросхемы - это важнейший объект интеллектуальной собственности в сфере микроэлектроники. Когда создается топология, автор ищет определенное решение именно касательно работы микросхемы, однако охраняться законом будет не содержание этого решения, а только форма - расположение элементов микросхемы.

УДК 004.023

ОБ ОХРАНЕ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫХ ПРАВ НА ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Штоляков Валерий Иванович

профессор кафедры полиграфических машин и оборудования, кандидат технических наук, доцент Московский государственный университет печати имени Ивана Федорова 127550 Россия, г. Москва, ул. Прянишникова, д. 2А [email protected]

Яганова Мадина Владимировна

старший преподаватель кафедры полиграфических машин и оборудования Московский государственный университет печати имени Ивана Федорова 127550 Россия, г. Москва, ул. Прянишникова, д. 2А паНап 1 @уапёех. ги

Аннотация. В статье рассматриваются вопросы возникновения гражданско-правовой охраны топологий интегральных микросхем. С учетом международных норм и современного законодательства анализируются вопросы защиты и охраны топологий интегральных микросхем в Российской федерации, странах СНГ и других государствах.

Ключевые слова: интегральная микросхема, топология интегральной микросхемы, интеллектуальная собственность, авторское право, промышленная собственность, исключительные права.

Базу современной информационной техники составляет микроэлектроника, активное развитие которой начинается с 60-х годов ХХ века, когда электронная аппаратура стала более сложной, увеличились ее габариты и повысились требований к ее надежности. В этот период времени начали создаваться электронные функциональные устройства в микроминиатюрном интегральном исполнении, что определило новое направление - микроэлектронику, основу которой составили интегральные микросхемы.

Интегральные микросхемы активно используются в микроэлектронике, выполняя функцию электронной схемы, посредством которой аналоговый сигнал преобразуется в цифровую форму. Интегральная микросхема (ИМС) представляет собой микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, изготовленное на базе кристаллов сверхчистого (аморфного) кремния или германия, в которых перестроена кристаллическая решетка. Элементы ИМС определенным образом связаны между собой, образуя несколько слоев в виде электронных схем, соединенных между собой как по горизонтали, так и по вертикали.

Используя достижения в области физики твердого тела, проектируются и создаются миниатюрные электронные структуры. Их наносят на поверхность кристаллов и называют чипом (англ. Chip - букв. щепка, осколок). Плотность упаковки современных чипов превышает 500 млн транзисторов на 1 см.2 Особенность любой микросхемы определяется подбором и взаимным расположением ее элементов, ее топологией.

ИМС представляют собой объекты интеллектуальной собственности, которым

предоставляется особый режим правовой охраны вне рамок патентного и авторского права.

Для обеспечения регулирования отношений, возникающих в процессе создания и последующего использования результатов творческой деятельности в области микроэлектроники, требовалась их правовая охрана. Впервые правовая охрана ИМС была предоставлена в США, где в 1984 году приняли Закон об охране полупроводниковых интегральных микросхем. Позднее в 1985 году аналогичный Закон был принят в Японии. Правовое регулирование на уровне Европейского союза (ЕС) помогло создать положение Директивы Совета 87/54/ЕЕС от 16 декабря 1986 года о правовой охране топологий полупроводниковых изделий (ИМС). Директива закрепляла трактовку понятий «интегральная микросхема», «топология интегральной

микросхемы», «коммерческое использование топологии интегральной микросхемы». В мае 1989 года в Вашингтоне на конференции стран-участниц ВОИС (Всемирная организация интеллектуальной собственности), включая бывший СССР, был подписан договор об интеллектуальной собственности в отношении топологии ИМС.

Так под топологией ИМС в Директиве понимается серия взаимосвязанных изображений, каким-либо образом зафиксированных или закодированных и отражающих трехмерную структуру слоев, из которых состоит полупроводниковое изделие, при этом каждое изображение отражает рисунок или часть рисунка поверхности полупроводникового изделия на любой стадии его изготовления. Несколько упрощенная редакция представлена в ст. 1448 ГК РФ, где топология интегральных микросхем представляется в виде зафиксированной на

материальном носителе в пространственно-геометрическом расположении совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними.

В Директиве отмечалось, что топологии интегральных микросхем предоставляется правовая охрана при условии, что она является результатом интеллектуальной (умственной) деятельности ее разработчиков, т.е. является оригинальной и не стала известной. Если топология состоит из общеизвестных в полупроводниковой промышленности элементов, то ей предоставляется охрана при условии, когда совокупность подобных элементов не является общеизвестной. При соблюдении ряда условий охрана предоставляется также юридическим лицам, которым принадлежит право первого коммерческого использования топологии ИМС.

Вопросы, связанные с правовой охраной результатов этого специфического вида интеллектуальной деятельности в России регулируются Гражданским кодексом РФ, Главой 74 «Право на топологии интегральных микросхем». Закон предусматривает депонирование материалов, идентифицирующих топологию, и ее официальную регистрацию. В то же время авторское право не защищает идеи, технологию или способы кодирования информации, воплощенные в топологии. Объектом охраны является лишь взаимное расположение элементов ИМС.

Исключительные права на топологию ИМС прекращаются через 10 лет после окончания календарного года, в котором топология была впервые использована в коммерческих целях. В случае получения свидетельства на государственную регистрации топологии, 10-летний отчет начинается с момента окончания календарного года, в котором была подана заявка на регистрацию. Исключительное

право на топологию ИМС включает право использовать, распоряжаться исключительным правом, разрешать или запрещать.

Правообладатель для оповещения о своем исключительном праве на топологию вправе использовать знак охраны, который помещается на ИМС или на изделие, содержащее топологию. Знак охраны, позволяющий идентифицировать

правообладателя, состоит из выделенной прописной буквы «Т» в окружности или квадрате и даты начала срока действия исключительного права на топологию. Однако многие государства по разному подошли к проблеме охраны права на топологии ИМС, поскольку до конца не решен из-за своей специфики статус их охраны авторским или патентным правом, или правом особого рода (sшgeneris). На уровне стран Европейского Союза действует Директива № 87/54, устанавливающая лишь общие условия охраны топологий ИМС, вводя для них и право особого рода. В Великобритании и Индии они отнесены к объектам авторско-правовой охраны, а в Швейцарии и Аргентине они охраняются законом о недобросовестной конкуренции. В странах СНГ, например, Республике Казахстан и Республике Беларусь топологии ИМС отнесены к объектам промышленной собственности.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Корнеев В.А. Программы для ЭВМ, базы данных и топологии интегральных микросхем как объект интеллектуального права. - М.: Статут, 2010. - С. 165.

2. Штоляков В.И., Яганова М.В. Возникновение правовой охраны программ для ЭВМ и баз данных. // Вестник МГУП имени Ивана Федорова. - 2015. - № 1. - С. 184-188.

PROTECTION OF INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS ON TOPOLOGIES OF INTEGRAL MICROCIRCUITS

Valery Ivanovich Shtolyakov

Madina Vladimirovna Yaganova

Moscow State University of Printing Arts 127550Russia, Moscow, Pryanishnikova st., 2Â

Annotation. The article describes the origin of civil security of topologies of integral microcircuits. The questions of protection and security of topologies of integral microcircuits in Russian Federation, CIS and other countries are analyzed considering international standards and present-day legislation.

Keywords: Integral microcircuits, topologies of integral microcircuits, intellectual property, copyright, industrial property, exclusive right.

Эволюция охраны. Интегральные микросхемы представляют собой один из важнейших объектов интеллектуальной собственности, поскольку они имеют широчайшее распространение во всех современных устройст­вах как бытового, так и промышленного назначения.

Техническая эволюция интегральных микросхем прошла несколько этапов. Прообразом были радиоприемные устройства, для создания кото­рых использовались принципиальные и монтажные схемы. Первые пред­ставляли собой графические изображения электрических соединений всех элементов электронных устройств с их спецификациями, а вторые - про­странственное расположение вышеуказанных элементов, т. е. радиоламп, сопротивлений, конденсаторов, индуктивностей и т. д.

С появлением полупроводниковых транзисторов все детали элек­тронных устройств стали монтировать на печатных платах, что позволи­ло уменьшить размеры и энергопотребление устройств. Последующая миниатюризация электронных устройств привела к созданию микро­схем, в которых все элементы создавались на одном полупроводнико­вом кристалле. Первая микросхема была разработана Д. Килби в 1958 г. и произведена в 1961 г. фирмами Fairchild Semiconductor Corp. и Texas Instruments.

Co временем микросхемы совершенствовались, повышалась степень их интеграции и надежность. В настоящее время микросхемы могут содер­жать миллионы элементов. Одним из важнейших видов интегральных микросхем общего назначения стали микропроцессоры, созданные фир­мами Intel в 1971 г. и Motorola, что стало основой широчайшей компьюте­ризации всех сфер деятельности.

Обычно интегральные микросхемы определяются следующим обра­зом.

Интегральная микросхема - это изделие, в котором активные (транзисторы и диоды), пассивные (сопротивления, конденсаторы и ин­дуктивности) и соединяющие их компоненты электронной схемы воплощены в объеме составного полупроводникового носителя.

В настоящее время производство интегральных микросхем представ­ляет собой одну из важнейших отраслей промышленного производства, обеспечивающую совершенствование и создание новой продукции и но­вых производств.

Как и в отношении иных научно-технических достижений, произво­дители микросхем с самого начала столкнулись с проблемой копирования своих достижений конкурентами. Однако особенности микроэлектроники таковы, что копирование никогда не было простым. Иногда издержки на анализ и повторение оказываются выше, чем расходы на собственные ис­следования, разработки и производство.


Исключительная сложность современных интегральных микросхем Обеспечивает их техническую защиту от копирования. Тем не менее запад­ные фирмы, понимающие необходимость патентования для защиты своих научно-технических достижений на внутреннем и международном рынке, добивались правовой охраны своих микросхем. Первые формы охраны то­пологий (пространственных расположений элементов) интегральных Микросхем осуществлялись авторским правом по аналогии со схемами, Картами, чертежами. Впоследствии топологии интегральных микросхем стали охраняться специализированными законами, которые по принци­пам возникновения права относились к законодательству о промышлен­ной собственности.


В 1984 г. был принят Закон США об охране полупроводниковых схем, в в 1985 г. сходный закон появился в Японии. В Европейском союзе 1986 г. принята Директива «О правовой охране топологий полупроводни-вых продуктов»".

В странах с переходной экономикой первый закон о правовой охране топологий интегральных микросхем был принят в 1992 г. в Российской Федерации 2 , когда многие развитые страны уже обеспечили охрану топо­логий интегральных микросхем.

На международном уровне первая попытка охраны топологий инте­гральных микросхем сделана в Договоре об интеллектуальной собственно­сти в отношении интегральных микросхем 3 , принятом на Дипломатической конференции ВОИС в Вашингтоне в 1989 г. Этот Договор не вступил в си­лу, поскольку основные производители микросхем, прежде всего США и Япония, считали ряд его положений о принудительном лицензирова­нии не соответствующими их интересам. В ст. 4 Договора содержится важная норма, в соответствии с которой «каждая Договаривающаяся Сторона свободна выполнять свои обязательства по настоящему Дого­вору специальным законом о топологиях или своим законом об автор­ском праве, патентах, полезных моделях, промышленных образцах, не­добросовестной конкуренции или любым иным законом или сочетанием любых этих законов» 4 . Другими словами, топологии интегральных микро­схем могут охраняться различными законами об охране интеллектуальной собственности.

Основные положения Договора об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем, за исключением ст. 6(3), впослед-

Council Directive of December 16, 1986, on the Legal Protection of Topographies of Semiconductor Products (87/54/EEC) // Official Journal of the European Communities. No L 24 of January 27. 1987. P. 36.

2 См.: Интеллектуальная собственность. М., 1992. № 3-4. С. 11-15.

3 См.: Договор об интеллектуальной собственности в отношении интегральных
схем. Вашингтон: ВОИС. IP1C/DC/46. 26.05.1989.


208 Глава 5. Патентное право


§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 209

ствии были включены в Соглашение ТРИПС, которое признало тополо­гии интегральных микросхем объектом интеллектуальной собственности.

Объект охраны. Интегральные микросхемы являются одним из важней­ших объектов интеллектуальной собственности, поскольку они чрезвычай­но широко используются практически в любых современных товарах, от то­варов бытового назначения до автоматизированных систем, участков, устройств автоматизированного производства. Все современные транспорт ные средства как гражданского, так и военного назначения немыслимы без широкого использования интегральных микросхем.

Первые определения интегральных микросхем и их топологий были даны в Директиве Европейского союза и в Договоре об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем. Схожие определе ния используются в законодательстве некоторых стран с переходной эко номикой, однако они содержат неточности, связанные с недостаточным пониманием технического существа объекта охраны. Не претендуя на пол­ноту, можно предложить следующее определение.

Топология интегральной микросхемы - это пространственное распо­ложение всех компонентов интегральной микросхемы, воплощенной в полупроводниковом носителе.

Объектом охраны являются топологии интегральных микросхем, ко­торые реализуются в тех или иных изделиях. Несмотря на то что охрана предоставляется топологиям интегральных микросхем, знания топологии недостаточно для воссоздания изделия, в котором она используется. Необ­ходимо знать характеристики всех активных и пассивных элементов мик­росхемы. Однако установить детальные характеристики и свойства миллио­нов активных и пассивных элементов крайне сложно. Для сверхбольших интегральных микросхем обратный инжиниринг оказывается чрезвычайно сложным и дорогим. Современные интегральные микросхемы надежно за­щищены технически, и их дополнительная правовая охрана не всегда необ­ходима.

Субъекты охраны. Топологии интегральных микросхем признаются результатом творческого труда разработчиков. Микросхемы не могут быть созданы одним лицом за счет своих средств. Следовательно, тополог ии интегральных микросхем - это всегда служебные объекты.

Первичными субъектами права могут быть три категории лиц:

Правопреемники вышеуказанных лиц.

В отношении субъектов прав на топологии интегральных микросхем могут действовать mutatis mutandis (с соответствующими изменениями) по­ложения, подробно рассмотренные в § 5.6.


Условия правоспособности. Право на топологию интегральной мик­росхемы удостоверяется свидетельством об официальной регистрации то­пологии интегральной микросхемы, для получения которого заявитель Лол жен представить в патентное ведомство следующие документы:

Заявление о выдаче свидетельства;

Реферат.

В Российской Федерации требования к депонируемым документам установлены в Правилах составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную регистрацию топологий интегральных микросхем, в соот­ветствии с которыми депонируемые материалы должны содержать:

1) полный комплект одного из следующих видов визуально восприни-
| маемых материалов, отображающих каждый слой регистрируемой тополо­
гии:

Послойные технологические чертежи;

Сборочный топологический чертеж, включая спецификацию;

Фотографии или копии с фотошаблонов (на бумажном носителе); фотографии на бумаге каждого слоя топологии, зафиксированной

в интегральной микросхеме;

2) четыре образца интегральной микросхемы, включающие регистри­
руемую топологию в том виде, в котором она была использована в целях
получения прибыли.

По существу, эти требования направлены на выявление производст­венных секретов и ноу-хау заявителя, поскольку почти все перечисленное является строжайшим секретом (top-secret) разработчиков и разглашение их в любом виде лишает разработчиков конкурентных преимуществ и под­рывает дальнейшие разработки и производство микросхем. Таким обра­зом, основная часть депонируемых материалов относится к закрытой ин­формации разработчика, который никогда не передаст достоверную информацию патентному ведомству, поскольку информация станет достоя­нием третьих лиц, хотя в ст. 4(2) Директивы Европейского союза установ­лено, что страны должны обеспечить неразглашение секретов, содержа­щихся в депонируемых материалах.

Понимая, что депонируемые материалы относятся к секретам заяви­теля, разработчики Правил сделали оговорку: «Если какой-либо слой то­пологии содержит сведения конфиденциального характера (например, относящиеся к ноу-хау), в визуально воспринимаемых материалах соот­ветствующая часть этого слоя (или целиком слой) может быть изъята и включена в состав депонируемых материалов, идентифицирующую то­пологию в закодированной форме»".

Сделанная оговорка не менее абсурдна.


Интеллектуальная собственность. М., 1993. № 3-4. С. 230.


210 « Глава 5. Патентное право


§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 211

Во-первых, информация о каждом слое топологии является секретной.

Во-вторых, сложно получить цифровое изображение слоев микросхе­мы и закодировать это изображение.

В-третьих, любая закодированная информация может декодироваться заинтересованными лицами.

Другими словами, требования к депонируемым материалам нельзя при­знать обоснованными. Патентное ведомство не имеет права требовать сек­ретную информацию заявителя, а заявитель не должен и не станет ее пред­ставлять.

Требование к образцам микросхем, представляемых на депонирова­ние, нелепо, поскольку заявителю предложено заявлять такую микросхе­му, чтобы третьи лица могли получить с нее визуально воспринимаемое изображение каждого слоя топологии! Требование не только абсурдное, но и невыполнимое для современных интегральных микросхем. Почему раз­работчик должен создавать микросхемы, которые могут легко копировать третьи лица? Видимо, разработчики помнили о тщетности усилий инсти­тутов и предприятий Министерства среднего машиностроения СССР в по­слойном сканировании зарубежных микропроцессоров и в налаживании производства «кривых» копий этих микросхем.

По-видимому, существовали наивные надежды, что зарубежные про­изводители станут регистрировать свои интегральные микросхемы со все­ми своими производственными секретами и образцами. Естественно, это­го не произошло. В результате в России зарегистрировано чуть более 200 топологий. Более того, никто не даст гарантий, что выданные свидетельст­ва подтверждены депонированными материалами, которые действительно относятся к заявленным топологиям. Ведь никакая экспертиза, по сущест­ву, не ведется, по крайней мере в самом патентном ведомстве.

Анализ требований к депонированным материалам, идентифицирую­щих интегральную микросхему, показывает, что патентные ведомства соз­дали недейственную систему регистрации и охраны топологий. Разработчи­ки, поставив перед собой цели, которые не имеют никакого отношения к охране топологий, не смогли или не захотели понять, что требования к депонируемым документам должны быть очень простыми и не затрагивать секреты заявителей.

Патентное ведомство могло потребовать любые документы от заявите­ля, которые, по его мнению, идентифицируют его топологию. Для этого вполне достаточно предоставлять лишь выборочную информацию по то­пологии, например изображение любой части любого слоя интегральной схемы, т. е. своего рода «пасхальное яйцо», на основании которого никто не смог бы создать новую микросхему, но заявителю таких депонирован­ных материалов могло оказаться достаточным, чтобы убедительно отверг­нуть притязания третьих лиц на его топологию.

Именно такой подход использован в Правилах составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную регистрацию программ для элек-


онных вычислительных машин и баз данных, в которых установлено, то «в целях идентификации депонируемой программы для ЭВМ следует представлять материалы в объеме 25 первых и 25 последних страниц лис­тинга (печатной копии) исходного текста» 1 . Аналогично можно было бы установить требования к депонируемым материалам, идентифицирующим топологию. Несомненно, заявитель может и в таком случае представить любую информацию и получить охранное свидетельство. Примером может быть получение в Российском патентном ведомстве свидетельства № 2006613993 от 21 сентября 2006 г. об официальной регистрации компь­ютерной программы Windows Vista лицом, которое не имеет никакого от­ношения к действительному разработчику и создателю данной операцион­ной системы.

Законодательство об охране топологий интегральных микросхем при­знает два условия охраноспособности:

Творческий характер топологии;

Оригинальность топологии.

Несмотря на то что оба условия взаимосвязаны, между ними есть различия. Творческий характер труда авторов топологии признается, по­скольку авторами топологии считаются физические лица, в результате i ворческой деятельности которых создана топология. С содержательной точки зрения невозможно отрицать творческий характер авторов тополо­гии. Дело в том, что хотя электрические связи компонентов микросхемы предопределяются соответствующими принципиальными схемами, рас­положение этих компонентов и связи между ними реализуются благодаря творческой деятельности авторов топологии.

Можно напомнить о презумпции творческого характера составителей некоторых произведений, рассмотренной в § 2.12, поскольку любое распо­ложение материалов сборника может считаться творческим из-за невоз­можности доказать обратное. Аналогичное справедливо и для топологий: любое пространственное расположение элементов интегральной схемы должно признаваться творческим. Если следовать аналогии с творческим характером объектов авторского права, то творчество распространяется почти на любую чертежную документацию, которая близка к топологиям интегральных микросхем. Наконец, если признаются результатом велико­го творчества четыре перпендикулярные линии Малевича, то нет никаких объективных причин отказывать в творчестве разработчикам топологий, содержащих миллионы элементов и соединяющих их линий электричес­кого характера.

Вторым условием охраноспособности признается оригинальность топо­логии. В ст. 1448(2) Гражданского кодекса Российской Федерации установ­лено, что «топология интегральной микросхемы признается оригиналь­ной, если не доказано обратное».

Интеллектуальная собственность. С. 39.


212 Глава 5. Патентное право


§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 213

В Договоре об интеллектуальной собственности в отношении инте­гральных схем определение оригинальности более содержательное". В комментариях к проекту договора отмечалось, что «два условия должны быть выполнены для удовлетворения требования оригинальности, а имен­но: чтобы топологии являлись результатом собственного интеллектуаль­ного усилия их создателей и чтобы они не были общеизвестными среди создателей топологий и изготовителей микрочипов во время их созда­ния» 2 . Эти условия содержатся и в Директиве Европейского союза и под­тверждены с некоторой национальной спецификой в законодательстве стран с переходной экономикой. Нетрудно установить, что оригиналь ность топологии, по существу, совпадет с ее новизной «среди создателей топологий».

Следовательно, для интегральных микросхем условия охраноспособно сти топологий выполнены, если топология является результатом творческо­го труда и является новой, неизвестной иным разработчикам и производите лям интегральных микросхем. Второе условие охраноспособности важно для третьих лиц, которые намерены оспорить предоставленные права на зарегистрированную топологию микросхемы.

Поскольку второе условие охраноспособности патентное ведомство не может проверить из-за отсутствия информации об иных топологиях в ми ре, оно вынуждено использовать явочную систему выдачи охранных доку ментов на топологии интегральных микросхем. Поэтому абсурдные требо­вания к депонируемым документам, о которых говорилось выше, вообще излишни, поскольку патентное ведомство не может осуществить экспер­тизу по существу. Если же третьи лица предъявят возражения в отношении выданных свидетельств на какую-либо топологию, то обладатель свиде­тельства должен сам доказывать правомерность полученного свидетельст­ва, которое выдается под ответственность заявителя.

Таким образом, патентное ведомство проводит только формальную экспертизу заявки на получение охранного документа. Если в результате экспертизы будет установлено, что документы, входящие в заявку, оформ лены правильно, принимается решение о выдаче свидетельства на тополо­гию. Такое свидетельство выдается патентным ведомством после внесения сведений о топологии в Реестр топологий интегральных микросхем. Сви­детельство на топологию удостоверяет авторство, приоритет топологии и право на ее использование.

Патентное ведомство взимает пошлины за совершение «юридически значимых действий». В отличие от патента, действие которого поддержи­вается только при обязательной уплате регулярных пошлин, пошлины за поддержание в силе свидетельства о топологии не уплачиваются. Другими

1 См.: Договор об охране интеллектуальной собственности в отношении интеграль­
ных схем. Вашингтон: ВОИС. 1PIC/DC/46. 26.05.1989. С. 4.

2 Проект Договора об охране интеллектуальной собственности в отношении интег­
ральных схем. Вашингтон: ВОИС. IPIC/DC/3. 31.01.1989. С. 20.


словами, свидетельство на топологию не нуждается в поддержании в силе И оно действует до окончания предоставляемого срока охраны без оплаты пошлин.

Предоставляемые права. Объем правовой охраны топологии определя­ется совокупностью ее элементов и связей между ними, представленных; В депонируемых материалах. Такая форма предоставления охраны являет­ся формальной, поскольку патентное ведомство не проводит экспертизу по существу и не может знать ни совокупности элементов топологии, ни (Соответствующих связей. Поэтому в действительности топологии инте­гральных микросхем охраняются как таковые.

В отличие от иных объектов патентного права законодательство о пра­вовой охране топологий допускает оповещения о правах автора топологии или его правопреемника. Такие оповещения или уведомления могут быть сделаны на интегральных микросхемах с охраняемой топологией. Законо­дательство стран с переходной экономикой допускает различные виды оповещений.

Например, в Российской Федерации уведомления представляют собой прописную букву «Т» в кавычках, в квадратных скобках, в окружности, в квадрате либо со звездочкой, дополненную датой начала действия исклю­чительного права и информацией, позволяющей идентифицировать пра­вообладателя. Вид таких оповещений впервые введен в ст. 9 Директивы Европейского союза «О правовой охране топологий полупроводниковых продуктов».

При анализе предоставляемых прав на топологии интегральных микросхем можно использовать mutatis mutandis (с соответствующими из­менениями) положения о правовой охране изобретений, подробно рас­смотренные в § 5.11. Эти положения относятся как к личному неимущест­венному праву (праву авторства), так и к исключительному праву на использование топологии. Кроме того, признается право на авторское воз­награждение.

С позиции принципа дуализма интеллектуальной собственности за­конодательство должно устанавливать нормы об исключительном праве на производство товаров, в которых воплощены топологии интегральных микросхем.

Исключительное право включает право на воспроизведение (производ­ство товара) и право на распространение (продажа и иное введение в граж­данский оборот товаров). Право на распространение интегральных микро­схем подлежит исчерпанию, т. е. оно перестает действовать после первой продажи или иной передачи права собственности на эту интегральную мик­росхему. Право на исчерпание подразумевается в ст. 6(5) Договора об ин­теллектуальной собственности в отношении интегральных схем и в ст. 6 Соглашения ТРИ ПС. В неточной форме исчерпание права на распростра­нение установлено в ст. 1456(3) Гражданского кодекса Российской Феде­рации.


214 Глава 5. Патентное право


§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 215

Охрана авторским правом. Как уже отмечалось, далеко не все положе­ния законодательства о правовой охране топологий интегральных микро­схем безупречны не только с правовой, но и с технической и даже лингвис­тической точки зрения.

Законодательство содержит формулировки, позволяющие считать, что топологии интегральных микросхем могут охраняться не только зако­нодательством о промышленной собственности, но и авторским правом. А. П. Сергеев обоснованно считает, что «регистрация топологий не явля­ется обязательным условием их правовой охраны»".

Действительно, в соответствии со ст. 1452(1) Гражданского кодекса Российской Федерации правообладатель может по своему желанию зареги стрировать топологию в течение срока действия исключительного права на топологию. Другими словами, еще до подачи заявления на регистрацию топологии автор или иное лицо уже обладают правами на топологию. Та­кое право могло у них возникнуть только в силу самого факта создания то­пологии, что характерно для возникновения охраны авторским правом. На общность топологий интегральных микросхем с объектами авторского права указывает и перечень неохраняемых объектов, который приводится как в законодательстве об авторском праве, так и в законе об охране топо­логий. В обоих случаях охрана не распространяется на идеи, способы, системы и проч.

Таким образом, топологии интегральных микросхем могут считаться объектами авторского права и охраняться соответствующим законода­тельством. Положение не удивительное, поскольку по всем признакам топологии очень близки к картографическим объектам (см. § 2.5). Кроме того, сам термин «топология», используемый в Гражданском кодексе Рос сийской Федерации, как и в законодательстве стран с переходной экономи кой, является неточным переводом термина «topography», который исполь­зуется в Директиве Европейского союза, Договоре об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем и Соглашении ТРИ ПС. Следовательно, правильным было бы использование не термина «топология», а термина «топография», который имеет самое прямое отно­шение к топографическим картам, являющимся признанными объектами авторского права. Термин «топология» стал устоявшимся в особом разделе математики, который изучает топологические, т. е. неизменные, свойства фигур при их любых неразрывных деформациях.

В отношении двойной охраны топологий интегральных микросхем существуют те же проблемы, как и для промышленных образцов, рассмот­ренные в § 5.18. Однако из-за служебного характера топологий негативные последствия двойной охраны не столь важны.

Сергеев А. П. Указ. соч. С. 693.


Ограничения охраны. Подобно иным объектам интеллектуальной соб­ственности, охрана топологий интегральных микросхем не является абсо­лютной, поскольку на охрану налагаются вполне определенные ограниче­ния.

В законодательстве стран с переходной экономикой не признаются на­рушением исключительных прав на охраняемую топологию следующие дейст­вия третьих лиц:

Использование топологии с целью оценки, анализа, исследования

или обучения;

Использование топологии в личных целях без извлечения прибыли;

Использование независимо созданной идентичной топологии; использование законно приобретенных товаров с интегральными

кросхемами, если покупатель не знал и не должен был знать о контра­ктное™ этих схем;

Применение интегральных микросхем, в которых воплощены охра-емые топологии, если они законно введены в гражданский оборот. Первым из названных использований является туманная форма ре-иниринга или обратного технического анализа, который обсуждался ра-

Второе использование - надуманное и бессмысленное. Трудно себе

едставить использование топологии в личных целях, например дома,

гараже, на даче. Именно топологии, а не самих интегральных микросхем.

Третье использование идентично праву преждепользования, которое ссматривалось для иных объектов патентного права.

Последний случай относится к исчерпанию права на распространение

обого товара.

Срок охраны. В ст. 1457 Гражданского кодекса Российской Федерации ок охраны топологий интегральных микросхем составляет 10 лет, однако оглашение ТРИ ПС допускает охрану топологий в течение 15 лет с мо-

;нта создания топологии.

Начало срока действия исключительного права на использование то-логии определяется по более ранней из следующих дат:

Первого использования топологии, документально подтвержденной

Регистрации топологии в патентном органе.
В случае появления идентичной оригинальной топологии, независимо

После истечения срока действия исключительного права топология переходит в общественное достояние. Необходимо подчеркнуть, что мик­росхемы морально и технически устаревают и снимаются с производства гораздо раньше окончания срока охраны их топологий, обычно за три - пять лет. Другими словами, установленный срок охраны топологий инте-фальных микросхем является завышенным. После морального старения


Глава 5. Патентное право


топологии не представляют интереса даже для стран, технологический уровень развития которых позволяет копировать устаревшие и снятые с производства микросхемы.

Ситуация со сроком охраны топологий микросхем напоминает про­должительность охраны компьютерных программ авторским правом, koi да программы морально устаревают за три - пять лет и оказываются нико му не нужными, а авторское право на такие уже бесполезные объекты про должает существовать. Если для иных произведений литературы, науки и искусства интерес к любому объекту может возникнуть в любой момент охраны, то для компьютерных программ он не возникает никогда: старые компьютерные программы оказываются совершенно ненужными, как и старые топологии интегральных микросхем.