УДК 004.023

ОБ ОХРАНЕ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫХ ПРАВ НА ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Штоляков Валерий Иванович

профессор кафедры полиграфических машин и оборудования, кандидат технических наук, доцент Московский государственный университет печати имени Ивана Федорова 127550 Россия, г. Москва, ул. Прянишникова, д. 2А [email protected]

Яганова Мадина Владимировна

старший преподаватель кафедры полиграфических машин и оборудования Московский государственный университет печати имени Ивана Федорова 127550 Россия, г. Москва, ул. Прянишникова, д. 2А паНап 1 @уапёех. ги

Аннотация. В статье рассматриваются вопросы возникновения гражданско-правовой охраны топологий интегральных микросхем. С учетом международных норм и современного законодательства анализируются вопросы защиты и охраны топологий интегральных микросхем в Российской федерации, странах СНГ и других государствах.

Ключевые слова: интегральная микросхема, топология интегральной микросхемы, интеллектуальная собственность, авторское право, промышленная собственность, исключительные права.

Базу современной информационной техники составляет микроэлектроника, активное развитие которой начинается с 60-х годов ХХ века, когда электронная аппаратура стала более сложной, увеличились ее габариты и повысились требований к ее надежности. В этот период времени начали создаваться электронные функциональные устройства в микроминиатюрном интегральном исполнении, что определило новое направление - микроэлектронику, основу которой составили интегральные микросхемы.

Интегральные микросхемы активно используются в микроэлектронике, выполняя функцию электронной схемы, посредством которой аналоговый сигнал преобразуется в цифровую форму. Интегральная микросхема (ИМС) представляет собой микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, изготовленное на базе кристаллов сверхчистого (аморфного) кремния или германия, в которых перестроена кристаллическая решетка. Элементы ИМС определенным образом связаны между собой, образуя несколько слоев в виде электронных схем, соединенных между собой как по горизонтали, так и по вертикали.

Используя достижения в области физики твердого тела, проектируются и создаются миниатюрные электронные структуры. Их наносят на поверхность кристаллов и называют чипом (англ. Chip - букв. щепка, осколок). Плотность упаковки современных чипов превышает 500 млн транзисторов на 1 см.2 Особенность любой микросхемы определяется подбором и взаимным расположением ее элементов, ее топологией.

ИМС представляют собой объекты интеллектуальной собственности, которым

предоставляется особый режим правовой охраны вне рамок патентного и авторского права.

Для обеспечения регулирования отношений, возникающих в процессе создания и последующего использования результатов творческой деятельности в области микроэлектроники, требовалась их правовая охрана. Впервые правовая охрана ИМС была предоставлена в США, где в 1984 году приняли Закон об охране полупроводниковых интегральных микросхем. Позднее в 1985 году аналогичный Закон был принят в Японии. Правовое регулирование на уровне Европейского союза (ЕС) помогло создать положение Директивы Совета 87/54/ЕЕС от 16 декабря 1986 года о правовой охране топологий полупроводниковых изделий (ИМС). Директива закрепляла трактовку понятий «интегральная микросхема», «топология интегральной

микросхемы», «коммерческое использование топологии интегральной микросхемы». В мае 1989 года в Вашингтоне на конференции стран-участниц ВОИС (Всемирная организация интеллектуальной собственности), включая бывший СССР, был подписан договор об интеллектуальной собственности в отношении топологии ИМС.

Так под топологией ИМС в Директиве понимается серия взаимосвязанных изображений, каким-либо образом зафиксированных или закодированных и отражающих трехмерную структуру слоев, из которых состоит полупроводниковое изделие, при этом каждое изображение отражает рисунок или часть рисунка поверхности полупроводникового изделия на любой стадии его изготовления. Несколько упрощенная редакция представлена в ст. 1448 ГК РФ, где топология интегральных микросхем представляется в виде зафиксированной на

материальном носителе в пространственно-геометрическом расположении совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними.

В Директиве отмечалось, что топологии интегральных микросхем предоставляется правовая охрана при условии, что она является результатом интеллектуальной (умственной) деятельности ее разработчиков, т.е. является оригинальной и не стала известной. Если топология состоит из общеизвестных в полупроводниковой промышленности элементов, то ей предоставляется охрана при условии, когда совокупность подобных элементов не является общеизвестной. При соблюдении ряда условий охрана предоставляется также юридическим лицам, которым принадлежит право первого коммерческого использования топологии ИМС.

Вопросы, связанные с правовой охраной результатов этого специфического вида интеллектуальной деятельности в России регулируются Гражданским кодексом РФ, Главой 74 «Право на топологии интегральных микросхем». Закон предусматривает депонирование материалов, идентифицирующих топологию, и ее официальную регистрацию. В то же время авторское право не защищает идеи, технологию или способы кодирования информации, воплощенные в топологии. Объектом охраны является лишь взаимное расположение элементов ИМС.

Исключительные права на топологию ИМС прекращаются через 10 лет после окончания календарного года, в котором топология была впервые использована в коммерческих целях. В случае получения свидетельства на государственную регистрации топологии, 10-летний отчет начинается с момента окончания календарного года, в котором была подана заявка на регистрацию. Исключительное

право на топологию ИМС включает право использовать, распоряжаться исключительным правом, разрешать или запрещать.

Правообладатель для оповещения о своем исключительном праве на топологию вправе использовать знак охраны, который помещается на ИМС или на изделие, содержащее топологию. Знак охраны, позволяющий идентифицировать

правообладателя, состоит из выделенной прописной буквы «Т» в окружности или квадрате и даты начала срока действия исключительного права на топологию. Однако многие государства по разному подошли к проблеме охраны права на топологии ИМС, поскольку до конца не решен из-за своей специфики статус их охраны авторским или патентным правом, или правом особого рода (sшgeneris). На уровне стран Европейского Союза действует Директива № 87/54, устанавливающая лишь общие условия охраны топологий ИМС, вводя для них и право особого рода. В Великобритании и Индии они отнесены к объектам авторско-правовой охраны, а в Швейцарии и Аргентине они охраняются законом о недобросовестной конкуренции. В странах СНГ, например, Республике Казахстан и Республике Беларусь топологии ИМС отнесены к объектам промышленной собственности.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Корнеев В.А. Программы для ЭВМ, базы данных и топологии интегральных микросхем как объект интеллектуального права. - М.: Статут, 2010. - С. 165.

2. Штоляков В.И., Яганова М.В. Возникновение правовой охраны программ для ЭВМ и баз данных. // Вестник МГУП имени Ивана Федорова. - 2015. - № 1. - С. 184-188.

PROTECTION OF INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS ON TOPOLOGIES OF INTEGRAL MICROCIRCUITS

Valery Ivanovich Shtolyakov

Madina Vladimirovna Yaganova

Moscow State University of Printing Arts 127550Russia, Moscow, Pryanishnikova st., 2Â

Annotation. The article describes the origin of civil security of topologies of integral microcircuits. The questions of protection and security of topologies of integral microcircuits in Russian Federation, CIS and other countries are analyzed considering international standards and present-day legislation.

Keywords: Integral microcircuits, topologies of integral microcircuits, intellectual property, copyright, industrial property, exclusive right.

Э.П. Гаврилов, доктор юридических наук.

Е.А. Данилина, кандидат юридических наук.

Основы правовой охраны

Начиная со второй половины XX в., во всем мире бурно развивается микроэлектроника. В различных приборах, машинах и механизмах широко используются интегральные микросхемы (далее - ИМС) - микроэлектронные изделия, включающие электронные схемы, которые состоят из отдельных элементов, находящихся в определенных связях друг с другом. Интегральные микросхемы именуются также "чипы". ИМС (чип) - это материальный объект, воплощающий определенные технические решения.

Технические решения, воплощенные в ИМС, заключаются в большом числе электрических (электронных) схем, соединяющих отдельные элементы сложными связями, которые идут как по горизонтали, так и по вертикали. В результате работы автора появляется объемная электронная схема, геометрический рисунок которой именуется "топология интегральной микросхемы" (далее - "топология"). Топология ИМС по сути - воплощение электронной схемы на микроуровне в кристаллических структурах.

Следует отметить, что слово "топология" означает науку, изучающую свойства фигур, не изменяющиеся при любых деформациях, производимых без разрывов и склеиваний. Создание новой топологии является творческим процессом, а сама топология - результатом технического творчества, аналогичным изобретениям или полезным моделям.

Некоторые особенности топологий (например, трудности, возникающие при выражении сущности топологии в виде формулы изобретения), а также некоторые фактические обстоятельства (явное лидерство США и Японии) обусловили тот факт, что топологии во многих странах мира были "выведены" из сферы патентной охраны. В результате возникла особая правовая система их охраны, не вписывающаяся ни в патентную, ни в авторско-правовую охрану. В России эта особая система выражена в Законе Российской Федерации от 23 сентября 1992 г. N 3526-1 "О правовой охране топологий интегральных микросхем" (далее - Закон). Изменения в него были внесены Федеральным законом Российской Федерации "О внесении изменений и дополнений в Закон РФ "О правовой охране топологий интегральных микросхем" от 9 июля 2002 г. N 82-ФЗ <*>.

<*> Патенты и лицензии. 2002. N 8. С. 49.

Исключительное право и срок его действия

Охрана топологий возникает автоматически с момента их создания, то есть выражения топологии в какой-либо объективной форме (чертеж, память ЭВМ, компакт-диск, образец чипа). Для возникновения охраны не требуется соблюдения каких-либо формальностей, хотя они предусмотрены Законом.

Среди таких формальностей следует прежде всего упомянуть проставление знака охраны топологии, состоящего из буквы "Т", даты первого использования топологии и имени (наименования) владельца прав (п. 8 ст. 9 Закона), а также факультативную государственную регистрацию топологии (п. 1 - 7 ст. 9 Закона). При этом согласно п. 1 ст. 9 Закона топологии, содержащие сведения, составляющие государственную или иную охраняемую законом тайну, официальной регистрации не подлежат.

Топология охраняется на основе принципа оригинальности. Фактически это означает, что правовой охраной пользуется любая самостоятельно созданная топология. Более того, правовую охрану получает и топология, созданная автором с использованием элементов из других (чужих) топологий. В этом случае оригинальным должно быть сочетание различных элементов, предложенное автором (п. 1 - 3 ст. 3 Закона).

"Оригинальной является топология, созданная в результате творческой деятельности автора и являющаяся неизвестной следующим лицам: автору и (или) специалистам в области разработки топологий на дату ее создания" (п. 2 ст. 3 Закона). Таким образом, для оценки оригинальности топологий учитывают не только объективную, но и субъективную новизну (неизвестность самому автору). Особенность норм п. 1 - 3 ст. 3 - наличие фигуры "специалиста", что позволяет сделать вывод о схожести подходов к топологиям и к патентуемым объектам (сравните с формулировкой изобретательского уровня из п. 1 ст. 4 Патентного закона: "Изобретение имеет изобретательский уровень, если оно для специалиста явным образом не следует из уровня техники").

Право возникает не только на топологию в целом, но и на отдельные ее части, если они оригинальны. Первоначально право на топологию всегда возникает у физического лица, ее создавшего, то есть у автора. При наличии двух или более авторов они совместно пользуются правами на топологию.

Если автор разработал топологию в связи с выполнением им служебных обязанностей или по заданию работодателя, то право на нее принадлежит работодателю, за исключением случаев, когда договором между автором и работодателем предусмотрено иное. Автору "служебной" топологии, право на которую принадлежит работодателю, должно выплачиваться определенное вознаграждение на основе договора, заключенного им с работодателем. При этом порядок выплаты вознаграждения и его размер устанавливаются договором между автором и обладателем исключительных прав на топологию. В.И. Еременко и Л.И. Подшибихин <*> отмечают, что эту норму "не стоит трактовать как накладывающую на работодателя обязанность заключать такой договор".

<*> Еременко В.И., Подшибихин Л.И. Комментарий к Закону РФ "О правовой охране топологий интегральных микросхем" / В кн.: Комментарий к законодательству об охране интеллектуальной собственности / Под общ. ред. В.И. Еременко. М.: Фонд "Правовая культура", 1997. С. 224.

Право на топологию может быть уступлено его владельцем любому лицу или быть объектом лицензионного договора. В соответствии с п. 5 ст. 9 Закона договоры о передаче исключительных прав на зарегистрированную топологию подлежат регистрации в Роспатенте, а другие договоры о передаче прав на охраняемую топологию могут быть зарегистрированы в Роспатенте.

Из ведомственных нормативных актов Роспатента неясно, где регистрируются и где публикуются сведения о регистрации договоров и передаче прав на незарегистрированную топологию. (Впрочем, аналогичный вопрос остается невыясненным и в отношении незарегистрированных компьютерных программ и баз данных <*>).

<*> См.: П. 5 ст. 13 Закона Российской Федерации "О правовой охране программ для электронных вычислительных машин и баз данных" // Патенты и лицензии. 2003. N 3. С. 64.

Объем исключительных прав на топологию определен в п. 3 ст. 5 Закона. Никто не вправе без разрешения правообладателя воспроизводить охраняемую топологию или ее любую оригинальную часть, распространять путем продажи или иным путем, а также ввозить на территорию России экземпляры материальных носителей охраняемой топологии. Использование топологии, хотя и идентичной той, которая получает правовую охрану, но созданной независимо, в результате параллельного творчества, не является нарушением исключительных прав (п. 2 ст. 8 Закона). Исключительные права распространяются только на случаи использования, которые осуществляются в целях получения прибыли (четвертый абзац п. 1 ст. 1 Закона).

Если экземпляр ИМС с охраняемой топологией был введен в гражданский оборот законным путем, то в дальнейшем он участвует в гражданском обороте свободно (принцип "исчерпания прав").

Незаконное использование охраняемой топологии без согласия правообладателя влечет обязанность возмещения убытков. При этом лицо, которое не знало и не должно было знать, что оно использует ИМС с незаконно воспроизведенной охраняемой топологией, убытки не возмещает. Данное правило соответствует принципу: ответственность возникает при наличии вины (четвертый абзац п. 1 ст. 11 Закона; ст. 1064 ГК РФ). Из этого можно сделать вывод, что виновный нарушитель обязан прекратить правонарушение и возместить причиненные убытки. Закон содержит особые нормы, касающиеся случая, когда охраняемую топологию незаконно использует невиновный нарушитель. Тогда, получив уведомление правообладателя о незаконности своих действий, нарушитель вправе продолжить использование топологии, но с выплатой правообладателю денежной компенсации (второй абзац п. 1 ст. 8 Закона).

Срок действия исключительного права на топологию ИМС составляет 10 лет, исчисляемых с даты:

первого открытого использования топологии в России или за рубежом, подтвержденного документально;

государственной регистрации топологии в патентном ведомстве, если она не использовалась ранее открыто.

Очевидно, что учитывается срок, истекающий первым. Однако, если в результате независимых друг от друга, параллельных разработок охрану получают две или более идентичных топологий, то срок охраны их всех истекает после истечения срока охраны любой из них (ст. 10 Закона).

Дискуссии о правовой охране топологий

Выше упоминалось, что к топологиям ИМС применяется право особого рода, не являющееся ни патентным, ни авторским. Тем не менее до сих пор не прекращаются попытки применения к ним норм патентного права или авторско-правовой охраны. Специалисты отмечают, что правовая охрана топологий сравнима с правовой охраной как изобретений, так и программ для ЭВМ <*>.

<*> Еременко В.И. Новая редакция Закона о правовой охране топологий интегральных микросхем // Изобретательство. 2003. N 5. С. 4.

Интересна дискуссия, проходившая в 2002 - 2004 гг. во время всероссийских научно-практических конференций "Правовая охрана интеллектуальной собственности в современных технологиях". Предложения по расширению правовой охраны и распространению ее на такие подготовительные материалы, как логическое и схемотехническое описание, внес выступавший на конференции М.В. Басс <*>. Он также поднял проблемы реверсного дизайна(или "обратного проектирования"), при котором путем стачивания слоев микросхемы получают информацию о топологии и затем ее воспроизводят. Во время дискуссий М.В. Басс привел в качестве примера подход судов США к определению нарушения: реверсный дизайн нелегитимен, если более поздняя топология создана без материальных затрат, то есть явно с использованием более ранней топологии.

<*> Басс М.В. Проблемы правовой охраны новых результатов творческой деятельности разработчиков в области микроэлектроники: Тезисы 4-й всероссийской научно-практической конференции "Правовая охрана интеллектуальной собственности в современных технологиях". Зеленоград. 7 июня 2004 г. С. 11.

На конференции 2002 г., в соавторстве с А.А. Энгельгардтом, М.В. Басс <*> предлагал защищать кроме "жестких ядер" (топологий ИМС) еще и "мягкие", и "фиксированные ядра" (описание на языке высокого уровня и электрическое описание соответственно) с помощью правового режима ноу-хау. Такой правовой режим позволит защитить алгоритм и блок-схемы, лежащие в основе топологии, "посредством ограничения доступа к ней". Из этого можно сделать вывод, что, как и в правовой охране программ для ЭВМ, в правовой охране топологий ИМС есть тенденция к расширению числа объектов охраны и попытки правовой защиты идей, лежащих в их основе. При этом предложения о применении правовой охраны нормами исключительного права для различных подготовительных и сопутствующих объектов (в приложении к топологиям - логического и схемотехнического описания, в приложении к компьютерным программам - алгоритмов и подготовительных материалов) могут обусловливаться неполным представлением о комплексе существующих возможностей правовой охраны объекта в целом и его частей.

<*> Басс М.В., Энгельгардт А.А. Система-на-кристалле: вопросы защиты интеллектуальной собственности: Тезисы 2-й всероссийской научно-практической конференции "правовая охрана интеллектуальной собственности в современных технологиях". Зеленоград. 3 июня 2002 г. С. 8.

Так, А.В. Трофименко, в частности, полагает, что "охрана объекта по нормам авторского права еще не доказывает отсутствия необходимости охраны того же объекта по нормам патентного права, что хорошо видно на примере алгоритмов и программ для ЭВМ" <*>. Приведенное мнение иллюстрирует часто встречающийся на практике подход, при котором происходит смешение комплексного и составляющих объектов. Например , если программу для ЭВМ представить как комплекс объектов, то исходный текст охраняется по нормам авторского права; алгоритм может входить в качестве составной иллюстрирующей части в заявку на изобретение, касающееся работы устройства; блок-схема электрического взаимодействия элементов такого устройства может быть защищена как полезная модель, а дизайн заставок и обложки продаваемой программы и диска - как промышленный образец. Но все это будут разные объекты.

<*> Трофименко А.В. Нематериальные объекты в гражданских правоотношениях. Саратов: Саратовский государственный социально-экономический университет, 2004.

Часто в отношении охраны топологий, как и в отношении программ для ЭВМ, поднимается вопрос о правовой охране подготовительных материалов и алгоритмов <*>. В случае топологий ИМС предлагается охранять логическое и схемотехническое описания. При этом внимание не акцентируется на том, что логическое описание достаточно хорошо защищается патентом на изобретение, а схемотехническое описание может быть предметом полезной модели; то есть и то, и другое удовлетворительно защищено современным патентным правом. Наш вывод согласуется с информацией о топологиях ИМС, приведенной на сайте Роспатента: "Все остальные элементы технологического процесса изготовления интегральных микросхем могут обеспечиваться правовой охраной другими способами, а объектом правовой охраны является лишь сама топологическая схема, как взаимное расположение элементов полупроводниковой микросхемы".

<*> Данилина Е.А., Карпова А.В. Программы для ЭВМ: проблемы терминологии и охраны // Патенты и лицензии. 2002. N 6.

Практика регистрации топологий

Регистрация топологий ИМС осуществляется в соответствии с Правилами составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы <*> (далее - Правила), согласно п. 7 которых заявка должна содержать:

<*> Патенты и лицензии. 2003. N 5. С. 69.

заявление на официальную регистрацию топологии ИМС с указанием правообладателя, а также автора, если он не отказался быть указанным в качестве такового, их местонахождения (местожительства), даты первого использования топологии в целях получения прибыли, если оно имело место;

депонируемые материалы, идентифицирующие топологию, включая реферат;

документ, подтверждающий уплату регистрационного сбора в установленном размере или основания для освобождения от уплаты регистрационного сбора, а также для уменьшения его размера.

Следует отметить, что Федеральным законом от 2 ноября 2004 г. N 127-ФЗ "О внесении изменений в части первую и вторую Налогового кодекса Российской Федерации и некоторые другие законодательные акты Российской Федерации, а также о признании утратившими силу отдельных законодательных актов (положений законодательных актов) Российской Федерации", принятым Государственной Думой 20 октября 2004 г., регистрационные сборы были преобразованы в государственную пошлину. Ст. 333.30 этого Закона устанавливает размеры государственной пошлины за совершение... действий по официальной регистрации... топологии интегральной микросхемы. При обращении в уполномоченный федеральный орган исполнительной власти за совершением действий по официальной регистрации программы для электронных вычислительных машин, базы данных и топологии интегральной микросхемы государственная пошлина уплачивается в установленных размерах <*>.

<*> См.: Патенты и лицензии. 2004. N 12. С. 65.

Согласно п. 16 Правил "в целях идентификации топологии депонируемые материалы заявки на регистрацию должны содержать:

полный комплект одного из следующих видов визуально воспринимаемых материалов, отображающих каждый слой топологии:

а) фотографии или копии (на бумажных носителях) фотошаблонов;

б) сборочный топологический чертеж с соответствующей спецификацией;

в) послойные топологические чертежи;

г) фотографии каждого слоя топологии, зафиксированной в ИМС;

реферат...".

В соответствии с п. 49 Правил, при положительном результате упомянутой в п. 45 проверки топология интегральной микросхемы вносится в Реестр топологий интегральных микросхем, правообладателю направляется уведомление об официальной регистрации и выдается свидетельство об официальной регистрации. Затем, в соответствии с п. 4 ст. 9 Закона, сведения об официальной регистрации топологии ИМС публикуются в бюллетене Роспатента.

Согласно подпункту "г" п. 16 Правил в аннотации, публикуемой в бюллетене Роспатента, раскрывается область применения, назначение или функции ИМС и вид применяемой для изготовления ИМС технологии. Обычно в аннотацию, помимо сведений о назначении, области применения и функциях микросхемы, включающей топологию, включены еще и основные технические характеристики (в некоторых случаях в виде таблицы), достаточно полно отражающие необходимые для идентификации топологии значения токов, напряжений, скорости сигналов, мощности.

В качестве примера аннотации приведем топологию, сведения об официальной регистрации которой опубликованы в бюллетене Роспатента N 2(47) от 20 июня 2004 г. под N 2004630008.

Название топологии - "Восьмиразрядный регистр, управляемый по фронту, с параллельным вводом-выводом данных, с инверсным выходом на три состояния", правообладатель - научно-исследовательское конструкторско-технологическое республиканское унитарное предприятие "Белмикросистемы".

Аннотация: "Интегральная микросхема (ИМС) относится к области логических микросхем коммерческого и специального применения в условиях воздействия ионизирующих излучений. ИМС могут использоваться в составе радиоэлектронной аппаратуры ядерных энергетических установок, космических аппаратов и т.п. ИМС изготавливается по КМОП технологии с применением эпитаксиальной структуры. Дата первого использования ИМС, включающей данную топологию в целях получения прибыли, 30 марта 2002 г. ИМС используется в серийном производстве. Основные технические характеристики образцов ИМС с этой топологией кристалла соответствуют стандарту, принятому для логических ИМС серий 54АСХХХ ведущих мировых производителей (ф. Раirchild, ф. Motorola). Основные характеристики ИМС: высокая скорость переключения (типовая задержка - 3 нс, тактовая частота - 150 МГц); выходные токи нагрузки + (плюс/минус) 24 мА при напряжении питания 4,5 В; диапазон работоспособности по напряжению источника питания от 2 до 6 В; диапазон температур от - 60 до +125 градусов Цельсия; согласование по входным напряжениям с КМОП-логикой; высокая устойчивость к воздействию статического электричества по модели человеческого тела > 2000 В; высокая устойчивость к эффекту защелкивания; стойкость к воздействию стационарного ионизирующего излучения по поглощенной дозе > 100 кРад".

Представляется, что при подозрении на нарушение топологии прежде всего принимают во внимание электротехнические параметры. Однако не совсем понятно, как именно можно ознакомиться с материалами заявки на топологию, ведь п. 32 Правил предусматривает возможность ознакомления с поданной заявкой только для заявителя или его представителя.

Число официальных регистраций топологий ИМС увеличивается с 2001 г. Так, в 2001 г. было зарегистрировано 6 топологий, в 2002 г. - 25, а в 2003 г. - 50 топологий. Всего с 1999 по 2003 г. было зарегистрировано 98 топологий. Таким образом, можно отметить положительную тенденцию регистрации топологий ИМС в России. Именно поэтому вопросы их правовой охраны вызывают все больший интерес у специалистов.

Эволюция охраны. Интегральные микросхемы представляют собой один из важнейших объектов интеллектуальной собственности, поскольку они имеют широчайшее распространение во всех современных устройст­вах как бытового, так и промышленного назначения.

Техническая эволюция интегральных микросхем прошла несколько этапов. Прообразом были радиоприемные устройства, для создания кото­рых использовались принципиальные и монтажные схемы. Первые пред­ставляли собой графические изображения электрических соединений всех элементов электронных устройств с их спецификациями, а вторые - про­странственное расположение вышеуказанных элементов, т. е. радиоламп, сопротивлений, конденсаторов, индуктивностей и т. д.

С появлением полупроводниковых транзисторов все детали элек­тронных устройств стали монтировать на печатных платах, что позволи­ло уменьшить размеры и энергопотребление устройств. Последующая миниатюризация электронных устройств привела к созданию микро­схем, в которых все элементы создавались на одном полупроводнико­вом кристалле. Первая микросхема была разработана Д. Килби в 1958 г. и произведена в 1961 г. фирмами Fairchild Semiconductor Corp. и Texas Instruments.

Co временем микросхемы совершенствовались, повышалась степень их интеграции и надежность. В настоящее время микросхемы могут содер­жать миллионы элементов. Одним из важнейших видов интегральных микросхем общего назначения стали микропроцессоры, созданные фир­мами Intel в 1971 г. и Motorola, что стало основой широчайшей компьюте­ризации всех сфер деятельности.

Обычно интегральные микросхемы определяются следующим обра­зом.

Интегральная микросхема - это изделие, в котором активные (транзисторы и диоды), пассивные (сопротивления, конденсаторы и ин­дуктивности) и соединяющие их компоненты электронной схемы воплощены в объеме составного полупроводникового носителя.

В настоящее время производство интегральных микросхем представ­ляет собой одну из важнейших отраслей промышленного производства, обеспечивающую совершенствование и создание новой продукции и но­вых производств.

Как и в отношении иных научно-технических достижений, произво­дители микросхем с самого начала столкнулись с проблемой копирования своих достижений конкурентами. Однако особенности микроэлектроники таковы, что копирование никогда не было простым. Иногда издержки на анализ и повторение оказываются выше, чем расходы на собственные ис­следования, разработки и производство.

Исключительная сложность современных интегральных микросхем Обеспечивает их техническую защиту от копирования. Тем не менее запад­ные фирмы, понимающие необходимость патентования для защиты своих научно-технических достижений на внутреннем и международном рынке, добивались правовой охраны своих микросхем. Первые формы охраны то­пологий (пространственных расположений элементов) интегральных Микросхем осуществлялись авторским правом по аналогии со схемами, Картами, чертежами. Впоследствии топологии интегральных микросхем стали охраняться специализированными законами, которые по принци­пам возникновения права относились к законодательству о промышлен­ной собственности.

В 1984 г. был принят Закон США об охране полупроводниковых схем, в в 1985 г. сходный закон появился в Японии. В Европейском союзе 1986 г. принята Директива «О правовой охране топологий полупроводни-вых продуктов»".

В странах с переходной экономикой первый закон о правовой охране топологий интегральных микросхем был принят в 1992 г. в Российской Федерации 2 , когда многие развитые страны уже обеспечили охрану топо­логий интегральных микросхем.

На международном уровне первая попытка охраны топологий инте­гральных микросхем сделана в Договоре об интеллектуальной собственно­сти в отношении интегральных микросхем 3 , принятом на Дипломатической конференции ВОИС в Вашингтоне в 1989 г. Этот Договор не вступил в си­лу, поскольку основные производители микросхем, прежде всего США и Япония, считали ряд его положений о принудительном лицензирова­нии не соответствующими их интересам. В ст. 4 Договора содержится важная норма, в соответствии с которой «каждая Договаривающаяся Сторона свободна выполнять свои обязательства по настоящему Дого­вору специальным законом о топологиях или своим законом об автор­ском праве, патентах, полезных моделях, промышленных образцах, не­добросовестной конкуренции или любым иным законом или сочетанием любых этих законов» 4 . Другими словами, топологии интегральных микро­схем могут охраняться различными законами об охране интеллектуальной собственности.

Основные положения Договора об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем, за исключением ст. 6(3), впослед-

Council Directive of December 16, 1986, on the Legal Protection of Topographies of Semiconductor Products (87/54/EEC) // Official Journal of the European Communities. No L 24 of January 27. 1987. P. 36.

2 См.: Интеллектуальная собственность. М., 1992. № 3-4. С. 11-15.

3 См.: Договор об интеллектуальной собственности в отношении интегральных
схем. Вашингтон: ВОИС. IP1C/DC/46. 26.05.1989.

208 Глава 5. Патентное право

§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 209

ствии были включены в Соглашение ТРИПС, которое признало тополо­гии интегральных микросхем объектом интеллектуальной собственности.

Объект охраны. Интегральные микросхемы являются одним из важней­ших объектов интеллектуальной собственности, поскольку они чрезвычай­но широко используются практически в любых современных товарах, от то­варов бытового назначения до автоматизированных систем, участков, устройств автоматизированного производства. Все современные транспорт ные средства как гражданского, так и военного назначения немыслимы без широкого использования интегральных микросхем.

Первые определения интегральных микросхем и их топологий были даны в Директиве Европейского союза и в Договоре об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем. Схожие определе ния используются в законодательстве некоторых стран с переходной эко номикой, однако они содержат неточности, связанные с недостаточным пониманием технического существа объекта охраны. Не претендуя на пол­ноту, можно предложить следующее определение.

Топология интегральной микросхемы - это пространственное распо­ложение всех компонентов интегральной микросхемы, воплощенной в полупроводниковом носителе.

Объектом охраны являются топологии интегральных микросхем, ко­торые реализуются в тех или иных изделиях. Несмотря на то что охрана предоставляется топологиям интегральных микросхем, знания топологии недостаточно для воссоздания изделия, в котором она используется. Необ­ходимо знать характеристики всех активных и пассивных элементов мик­росхемы. Однако установить детальные характеристики и свойства миллио­нов активных и пассивных элементов крайне сложно. Для сверхбольших интегральных микросхем обратный инжиниринг оказывается чрезвычайно сложным и дорогим. Современные интегральные микросхемы надежно за­щищены технически, и их дополнительная правовая охрана не всегда необ­ходима.

Субъекты охраны. Топологии интегральных микросхем признаются результатом творческого труда разработчиков. Микросхемы не могут быть созданы одним лицом за счет своих средств. Следовательно, тополог ии интегральных микросхем - это всегда служебные объекты.

Первичными субъектами права могут быть три категории лиц:

Правопреемники вышеуказанных лиц.

В отношении субъектов прав на топологии интегральных микросхем могут действовать mutatis mutandis (с соответствующими изменениями) по­ложения, подробно рассмотренные в § 5.6.

Условия правоспособности. Право на топологию интегральной мик­росхемы удостоверяется свидетельством об официальной регистрации то­пологии интегральной микросхемы, для получения которого заявитель Лол жен представить в патентное ведомство следующие документы:

Заявление о выдаче свидетельства;

Реферат.

В Российской Федерации требования к депонируемым документам установлены в Правилах составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную регистрацию топологий интегральных микросхем, в соот­ветствии с которыми депонируемые материалы должны содержать:

1) полный комплект одного из следующих видов визуально восприни-
| маемых материалов, отображающих каждый слой регистрируемой тополо­
гии:

Послойные технологические чертежи;

Сборочный топологический чертеж, включая спецификацию;

Фотографии или копии с фотошаблонов (на бумажном носителе); фотографии на бумаге каждого слоя топологии, зафиксированной

в интегральной микросхеме;

2) четыре образца интегральной микросхемы, включающие регистри­
руемую топологию в том виде, в котором она была использована в целях
получения прибыли.

По существу, эти требования направлены на выявление производст­венных секретов и ноу-хау заявителя, поскольку почти все перечисленное является строжайшим секретом (top-secret) разработчиков и разглашение их в любом виде лишает разработчиков конкурентных преимуществ и под­рывает дальнейшие разработки и производство микросхем. Таким обра­зом, основная часть депонируемых материалов относится к закрытой ин­формации разработчика, который никогда не передаст достоверную информацию патентному ведомству, поскольку информация станет достоя­нием третьих лиц, хотя в ст. 4(2) Директивы Европейского союза установ­лено, что страны должны обеспечить неразглашение секретов, содержа­щихся в депонируемых материалах.

Понимая, что депонируемые материалы относятся к секретам заяви­теля, разработчики Правил сделали оговорку: «Если какой-либо слой то­пологии содержит сведения конфиденциального характера (например, относящиеся к ноу-хау), в визуально воспринимаемых материалах соот­ветствующая часть этого слоя (или целиком слой) может быть изъята и включена в состав депонируемых материалов, идентифицирующую то­пологию в закодированной форме»".

Сделанная оговорка не менее абсурдна.

Интеллектуальная собственность. М., 1993. № 3-4. С. 230.

210 « Глава 5. Патентное право

§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 211

Во-первых, информация о каждом слое топологии является секретной.

Во-вторых, сложно получить цифровое изображение слоев микросхе­мы и закодировать это изображение.

В-третьих, любая закодированная информация может декодироваться заинтересованными лицами.

Другими словами, требования к депонируемым материалам нельзя при­знать обоснованными. Патентное ведомство не имеет права требовать сек­ретную информацию заявителя, а заявитель не должен и не станет ее пред­ставлять.

Требование к образцам микросхем, представляемых на депонирова­ние, нелепо, поскольку заявителю предложено заявлять такую микросхе­му, чтобы третьи лица могли получить с нее визуально воспринимаемое изображение каждого слоя топологии! Требование не только абсурдное, но и невыполнимое для современных интегральных микросхем. Почему раз­работчик должен создавать микросхемы, которые могут легко копировать третьи лица? Видимо, разработчики помнили о тщетности усилий инсти­тутов и предприятий Министерства среднего машиностроения СССР в по­слойном сканировании зарубежных микропроцессоров и в налаживании производства «кривых» копий этих микросхем.

По-видимому, существовали наивные надежды, что зарубежные про­изводители станут регистрировать свои интегральные микросхемы со все­ми своими производственными секретами и образцами. Естественно, это­го не произошло. В результате в России зарегистрировано чуть более 200 топологий. Более того, никто не даст гарантий, что выданные свидетельст­ва подтверждены депонированными материалами, которые действительно относятся к заявленным топологиям. Ведь никакая экспертиза, по сущест­ву, не ведется, по крайней мере в самом патентном ведомстве.

Анализ требований к депонированным материалам, идентифицирую­щих интегральную микросхему, показывает, что патентные ведомства соз­дали недейственную систему регистрации и охраны топологий. Разработчи­ки, поставив перед собой цели, которые не имеют никакого отношения к охране топологий, не смогли или не захотели понять, что требования к депонируемым документам должны быть очень простыми и не затрагивать секреты заявителей.

Патентное ведомство могло потребовать любые документы от заявите­ля, которые, по его мнению, идентифицируют его топологию. Для этого вполне достаточно предоставлять лишь выборочную информацию по то­пологии, например изображение любой части любого слоя интегральной схемы, т. е. своего рода «пасхальное яйцо», на основании которого никто не смог бы создать новую микросхему, но заявителю таких депонирован­ных материалов могло оказаться достаточным, чтобы убедительно отверг­нуть притязания третьих лиц на его топологию.

Именно такой подход использован в Правилах составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную регистрацию программ для элек-

онных вычислительных машин и баз данных, в которых установлено, то «в целях идентификации депонируемой программы для ЭВМ следует представлять материалы в объеме 25 первых и 25 последних страниц лис­тинга (печатной копии) исходного текста» 1 . Аналогично можно было бы установить требования к депонируемым материалам, идентифицирующим топологию. Несомненно, заявитель может и в таком случае представить любую информацию и получить охранное свидетельство. Примером может быть получение в Российском патентном ведомстве свидетельства № 2006613993 от 21 сентября 2006 г. об официальной регистрации компь­ютерной программы Windows Vista лицом, которое не имеет никакого от­ношения к действительному разработчику и создателю данной операцион­ной системы.

Законодательство об охране топологий интегральных микросхем при­знает два условия охраноспособности:

Творческий характер топологии;

Оригинальность топологии.

Несмотря на то что оба условия взаимосвязаны, между ними есть различия. Творческий характер труда авторов топологии признается, по­скольку авторами топологии считаются физические лица, в результате i ворческой деятельности которых создана топология. С содержательной точки зрения невозможно отрицать творческий характер авторов тополо­гии. Дело в том, что хотя электрические связи компонентов микросхемы предопределяются соответствующими принципиальными схемами, рас­положение этих компонентов и связи между ними реализуются благодаря творческой деятельности авторов топологии.

Можно напомнить о презумпции творческого характера составителей некоторых произведений, рассмотренной в § 2.12, поскольку любое распо­ложение материалов сборника может считаться творческим из-за невоз­можности доказать обратное. Аналогичное справедливо и для топологий: любое пространственное расположение элементов интегральной схемы должно признаваться творческим. Если следовать аналогии с творческим характером объектов авторского права, то творчество распространяется почти на любую чертежную документацию, которая близка к топологиям интегральных микросхем. Наконец, если признаются результатом велико­го творчества четыре перпендикулярные линии Малевича, то нет никаких объективных причин отказывать в творчестве разработчикам топологий, содержащих миллионы элементов и соединяющих их линий электричес­кого характера.

Вторым условием охраноспособности признается оригинальность топо­логии. В ст. 1448(2) Гражданского кодекса Российской Федерации установ­лено, что «топология интегральной микросхемы признается оригиналь­ной, если не доказано обратное».

Интеллектуальная собственность. С. 39.

212 Глава 5. Патентное право

§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 213

В Договоре об интеллектуальной собственности в отношении инте­гральных схем определение оригинальности более содержательное". В комментариях к проекту договора отмечалось, что «два условия должны быть выполнены для удовлетворения требования оригинальности, а имен­но: чтобы топологии являлись результатом собственного интеллектуаль­ного усилия их создателей и чтобы они не были общеизвестными среди создателей топологий и изготовителей микрочипов во время их созда­ния» 2 . Эти условия содержатся и в Директиве Европейского союза и под­тверждены с некоторой национальной спецификой в законодательстве стран с переходной экономикой. Нетрудно установить, что оригиналь ность топологии, по существу, совпадет с ее новизной «среди создателей топологий».

Следовательно, для интегральных микросхем условия охраноспособно сти топологий выполнены, если топология является результатом творческо­го труда и является новой, неизвестной иным разработчикам и производите лям интегральных микросхем. Второе условие охраноспособности важно для третьих лиц, которые намерены оспорить предоставленные права на зарегистрированную топологию микросхемы.

Поскольку второе условие охраноспособности патентное ведомство не может проверить из-за отсутствия информации об иных топологиях в ми ре, оно вынуждено использовать явочную систему выдачи охранных доку ментов на топологии интегральных микросхем. Поэтому абсурдные требо­вания к депонируемым документам, о которых говорилось выше, вообще излишни, поскольку патентное ведомство не может осуществить экспер­тизу по существу. Если же третьи лица предъявят возражения в отношении выданных свидетельств на какую-либо топологию, то обладатель свиде­тельства должен сам доказывать правомерность полученного свидетельст­ва, которое выдается под ответственность заявителя.

Таким образом, патентное ведомство проводит только формальную экспертизу заявки на получение охранного документа. Если в результате экспертизы будет установлено, что документы, входящие в заявку, оформ лены правильно, принимается решение о выдаче свидетельства на тополо­гию. Такое свидетельство выдается патентным ведомством после внесения сведений о топологии в Реестр топологий интегральных микросхем. Сви­детельство на топологию удостоверяет авторство, приоритет топологии и право на ее использование.

Патентное ведомство взимает пошлины за совершение «юридически значимых действий». В отличие от патента, действие которого поддержи­вается только при обязательной уплате регулярных пошлин, пошлины за поддержание в силе свидетельства о топологии не уплачиваются. Другими

1 См.: Договор об охране интеллектуальной собственности в отношении интеграль­
ных схем. Вашингтон: ВОИС. 1PIC/DC/46. 26.05.1989. С. 4.

2 Проект Договора об охране интеллектуальной собственности в отношении интег­
ральных схем. Вашингтон: ВОИС. IPIC/DC/3. 31.01.1989. С. 20.

словами, свидетельство на топологию не нуждается в поддержании в силе И оно действует до окончания предоставляемого срока охраны без оплаты пошлин.

Предоставляемые права. Объем правовой охраны топологии определя­ется совокупностью ее элементов и связей между ними, представленных; В депонируемых материалах. Такая форма предоставления охраны являет­ся формальной, поскольку патентное ведомство не проводит экспертизу по существу и не может знать ни совокупности элементов топологии, ни (Соответствующих связей. Поэтому в действительности топологии инте­гральных микросхем охраняются как таковые.

В отличие от иных объектов патентного права законодательство о пра­вовой охране топологий допускает оповещения о правах автора топологии или его правопреемника. Такие оповещения или уведомления могут быть сделаны на интегральных микросхемах с охраняемой топологией. Законо­дательство стран с переходной экономикой допускает различные виды оповещений.

Например, в Российской Федерации уведомления представляют собой прописную букву «Т» в кавычках, в квадратных скобках, в окружности, в квадрате либо со звездочкой, дополненную датой начала действия исклю­чительного права и информацией, позволяющей идентифицировать пра­вообладателя. Вид таких оповещений впервые введен в ст. 9 Директивы Европейского союза «О правовой охране топологий полупроводниковых продуктов».

При анализе предоставляемых прав на топологии интегральных микросхем можно использовать mutatis mutandis (с соответствующими из­менениями) положения о правовой охране изобретений, подробно рас­смотренные в § 5.11. Эти положения относятся как к личному неимущест­венному праву (праву авторства), так и к исключительному праву на использование топологии. Кроме того, признается право на авторское воз­награждение.

С позиции принципа дуализма интеллектуальной собственности за­конодательство должно устанавливать нормы об исключительном праве на производство товаров, в которых воплощены топологии интегральных микросхем.

Исключительное право включает право на воспроизведение (производ­ство товара) и право на распространение (продажа и иное введение в граж­данский оборот товаров). Право на распространение интегральных микро­схем подлежит исчерпанию, т. е. оно перестает действовать после первой продажи или иной передачи права собственности на эту интегральную мик­росхему. Право на исчерпание подразумевается в ст. 6(5) Договора об ин­теллектуальной собственности в отношении интегральных схем и в ст. 6 Соглашения ТРИ ПС. В неточной форме исчерпание права на распростра­нение установлено в ст. 1456(3) Гражданского кодекса Российской Феде­рации.

214 Глава 5. Патентное право

§ 5.19. Охрана топологий интегральных микросхем 215

Охрана авторским правом. Как уже отмечалось, далеко не все положе­ния законодательства о правовой охране топологий интегральных микро­схем безупречны не только с правовой, но и с технической и даже лингвис­тической точки зрения.

Законодательство содержит формулировки, позволяющие считать, что топологии интегральных микросхем могут охраняться не только зако­нодательством о промышленной собственности, но и авторским правом. А. П. Сергеев обоснованно считает, что «регистрация топологий не явля­ется обязательным условием их правовой охраны»".

Действительно, в соответствии со ст. 1452(1) Гражданского кодекса Российской Федерации правообладатель может по своему желанию зареги стрировать топологию в течение срока действия исключительного права на топологию. Другими словами, еще до подачи заявления на регистрацию топологии автор или иное лицо уже обладают правами на топологию. Та­кое право могло у них возникнуть только в силу самого факта создания то­пологии, что характерно для возникновения охраны авторским правом. На общность топологий интегральных микросхем с объектами авторского права указывает и перечень неохраняемых объектов, который приводится как в законодательстве об авторском праве, так и в законе об охране топо­логий. В обоих случаях охрана не распространяется на идеи, способы, системы и проч.

Таким образом, топологии интегральных микросхем могут считаться объектами авторского права и охраняться соответствующим законода­тельством. Положение не удивительное, поскольку по всем признакам топологии очень близки к картографическим объектам (см. § 2.5). Кроме того, сам термин «топология», используемый в Гражданском кодексе Рос сийской Федерации, как и в законодательстве стран с переходной экономи кой, является неточным переводом термина «topography», который исполь­зуется в Директиве Европейского союза, Договоре об интеллектуальной собственности в отношении интегральных микросхем и Соглашении ТРИ ПС. Следовательно, правильным было бы использование не термина «топология», а термина «топография», который имеет самое прямое отно­шение к топографическим картам, являющимся признанными объектами авторского права. Термин «топология» стал устоявшимся в особом разделе математики, который изучает топологические, т. е. неизменные, свойства фигур при их любых неразрывных деформациях.

В отношении двойной охраны топологий интегральных микросхем существуют те же проблемы, как и для промышленных образцов, рассмот­ренные в § 5.18. Однако из-за служебного характера топологий негативные последствия двойной охраны не столь важны.

Сергеев А. П. Указ. соч. С. 693.

Ограничения охраны. Подобно иным объектам интеллектуальной соб­ственности, охрана топологий интегральных микросхем не является абсо­лютной, поскольку на охрану налагаются вполне определенные ограниче­ния.

В законодательстве стран с переходной экономикой не признаются на­рушением исключительных прав на охраняемую топологию следующие дейст­вия третьих лиц:

Использование топологии с целью оценки, анализа, исследования

или обучения;

Использование топологии в личных целях без извлечения прибыли;

Использование независимо созданной идентичной топологии; использование законно приобретенных товаров с интегральными

кросхемами, если покупатель не знал и не должен был знать о контра­ктное™ этих схем;

Применение интегральных микросхем, в которых воплощены охра-емые топологии, если они законно введены в гражданский оборот. Первым из названных использований является туманная форма ре-иниринга или обратного технического анализа, который обсуждался ра-

Второе использование - надуманное и бессмысленное. Трудно себе

едставить использование топологии в личных целях, например дома,

гараже, на даче. Именно топологии, а не самих интегральных микросхем.

Третье использование идентично праву преждепользования, которое ссматривалось для иных объектов патентного права.

Последний случай относится к исчерпанию права на распространение

обого товара.

Срок охраны. В ст. 1457 Гражданского кодекса Российской Федерации ок охраны топологий интегральных микросхем составляет 10 лет, однако оглашение ТРИ ПС допускает охрану топологий в течение 15 лет с мо-

;нта создания топологии.

Начало срока действия исключительного права на использование то-логии определяется по более ранней из следующих дат:

Первого использования топологии, документально подтвержденной

Регистрации топологии в патентном органе.
В случае появления идентичной оригинальной топологии, независимо

После истечения срока действия исключительного права топология переходит в общественное достояние. Необходимо подчеркнуть, что мик­росхемы морально и технически устаревают и снимаются с производства гораздо раньше окончания срока охраны их топологий, обычно за три - пять лет. Другими словами, установленный срок охраны топологий инте-фальных микросхем является завышенным. После морального старения

Глава 5. Патентное право

топологии не представляют интереса даже для стран, технологический уровень развития которых позволяет копировать устаревшие и снятые с производства микросхемы.

Ситуация со сроком охраны топологий микросхем напоминает про­должительность охраны компьютерных программ авторским правом, koi да программы морально устаревают за три - пять лет и оказываются нико му не нужными, а авторское право на такие уже бесполезные объекты про должает существовать. Если для иных произведений литературы, науки и искусства интерес к любому объекту может возникнуть в любой момент охраны, то для компьютерных программ он не возникает никогда: старые компьютерные программы оказываются совершенно ненужными, как и старые топологии интегральных микросхем.

Затем пластину переворачивают, шлифуют и полируют со стороны монокристаллического кремния почти до пленкиSiO2 . Оставшийся перед пленкойSiO2 слой монокристаллического кремния снимают в полирующем травителе. В результате получается подложка с изолированными областями(карманами) монокристаллического кремния. В каждом из карманов обычными приемами планарной технологии формируют необходимые структуры активных и пассивных элементов ИМС. Таким образом, изоляция элементов ИМС осуществляется тонкой пленкой SiO2 . Слой поликристаллического кремния, в котором утоплены области монокристаллического кремния, играет роль несущей подложки.

Изоляция элементов ИМС воздушными промежутками.

Принципиальное отличие изоляции воздушными промежутками от изоляции тонкой пленкой диэлектрика заключается в наличии непроводящей подложки. Этим отличием обусловлены качественно новые характеристики ИМС.

К методам изоляции элементов ИМС воздушными промежутками относятся: декаль-метод, метод балочных выводов, метод «кремний на сапфире» (КНС) и др.

Комбинированный способ изоляции.

Стремление к использованию преимуществ, которыми обладают методы изоляции с помощью обратно смещенногоp -n - перехода и диэлектрической изоляции в единой структуре, привело к созданию комбинированного способа изоляции. При комбинированном способе изоляция элементов с боковых сторон осуществляется диэлектриком, а со стороны дна– обратно смещенным p -n -переходом. Способы комбинированной изоляции, (изопланар, эпипланар, полипланар и др.) наиболее перспективны для получения высокой плотности размещения элементов и улучшения электрических параметров ИМС.

5.8 Разработка топологии полупроводниковых ИМС

Основой для разработки топологии полупроводниковой ИМС являются электрическая схема, требования к электрическим параметрам и к параметрам активных и пассивных элемен-

тов, конструктивно-технологические требования и ограничения. Разработка чертежа топологии включает в себя такие этапы:

выбор конструкции и расчет активных и пассивных элементов ИМС; размещение элементов на поверхности и в объеме подложки и создание рисунка разводки(коммутации) между элементами; разработку предварительного варианта топологии; оценку качества топологии и ее оптимизацию; разработку окончательного варианта топологии. Целью работы конструктора при разработке топологии является минимизация площади кристалла ИМС, минимизация суммарной длины разводки и числа пересечений в ней.

Конструктивно-технологические ограничения при разработке топологии ИМС на биполярных транзисторах. Важней-

шей технологической характеристикой, определяющей горизон-

может быть уверенно сформирован при заданном уровне технологии, например, минимальная ширина окна в окисле кремния, минимальная ширина проводника, минимальный зазор между проводниками, минимальное расстояние между краями эмиттерной и базовой областей и т.д. Пусть минимальный размер, который может обеспечить технология, равен d . Тогда зазор между областью, занимаемой транзистором, и другими элементами ИМС больше минимального размераd на величину боковой диффузии под окисел, которая при разделительной диффузии примерно равна толщине эпитаксиального слоя d э .

Правила проектирования топологии полупроводниковой ИМС. Разработка топологии ИМС – творческий процесс, и его результаты существенно зависят от индивидуальных способностей разработчика, его навыков и знаний. Сущность работы по

созданию топологии ИМС сводится к нахождению такого оптимального варианта взаимного расположения элементов схемы, при котором обеспечиваются высокие показатели эффективности производства и качества ИМС: низкий уровень бракованных изделий, низкая стоимость, материалоемкость, высокая надежность, соответствие получаемых электрических параметров заданным. К разработке топологии приступают после того, как количество, типы и геометрическая форма элементов ИМС определены.

Правила проектирования изолированных областей. Количество и размеры изолированных областей оказывают существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому:

2) к изолирующим p -n -переходам всегда должно быть приложено напряжение обратного смещения, что практически осуществляется подсоединением подложкир- типа, или области разделительной диффузии р- типа, к точке схемы с наиболее отрицательным потенциалом. При этом суммарное обратное напряжение, приложенное к изолирующемур -n- переходу, не должно превышать напряжения пробоя;

3) диффузионные резисторы, формируемые на основе базового слоя, можно располагать в одной изолированной области, которая подключается к точке схемы с наибольшим положительным потенциалом. Обычно такой точкой является контактная площадка ИМС, на которую подается напряжение смещения от коллекторного источника питания;

4) резисторы на основе эмиттерного и коллекторного слоев следует располагать в отдельных изолированных областях;

5) транзисторы типа n -р -n , коллекторы которых подсоединены непосредственно к источнику питания, целесообразно размещать в одной изолированной области вместе с резисторами;

6) транзисторы типа n -р -n , которые включены по схеме с

общим коллектором, можно располагать в одной изолированной области;

7) все другие транзисторы, кроме упомянутых в п. 5 и 6, необходимо располагать в отдельных изолированных областях, т.е. все коллекторные области, имеющие различные потенциалы, должны быть изолированы;

9) количество изолированных областей для диодов может сильно изменяться в зависимости от типа диодов и способов их включения. Если в качестве диодов используются переходы ба- за-коллектор, то для каждого диода требуется отдельная изолированная область, так как каждый катод(коллекторная область n -типа) должен иметь отдельный вывод. Если в качестве диодов используются переходы эмиттер – база, то все диоды можно поместить в одной изолированной области. При этом все катоды диодов (эмиттерные области) сформированы отдельно в общем аноде. Аноды диодов с помощью соединительной металлизации закорачивают на изолированную (коллекторную) область;

10) для диффузионных конденсаторов требуются отдельные изолированные области. Исключение составляют случаи, когда один из выводов конденсатора является общим с другой изолированной областью;

11) для диффузионных перемычек всегда требуются - от дельные изолированные области.

Правила размещения элементов ИМС на площади кристалла. После определения количества изолированных областей приступают к их размещению в нужном порядке, размещению элементов, соединению элементов между собой и с контактными площадками, руководствуясь следующими правилами:

1) при размещении элементов ИМС и выполнении зазоров между ними необходимо строго выполнять ограничения, соответствующие типовому технологическому процессу;

2) резисторы, у которых нужно точно выдерживать отношение номиналов, должны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и располагаться рядом друг с другом. Это относится и к другим элементам ИМС, у которых требуется обеспечить точное соотношение их характеристик;

3) резисторы с большой мощностью не следует располагать вблизи активных элементов;

4) диффузионные резисторы можно пересекать проводящей дорожкой поверх слоя окисла кремния, покрывающего резистор;

5) форма и место расположения конденсаторов не являются критичными;

7) для улучшения развязки между изолированными областями контакт к подложке следует располагать рядом с мощным транзистором или как можно ближе ко входу или выходу схемы;

8) число внешних выводов в схеме, а также порядок расположения и обозначения контактных площадок выводов ИМС на кристалле должны соответствовать выводам корпуса;

9) коммутация в ИМС должна иметь минимальное количество пересечений и минимальную длину проводящих дорожек. Если полностью избежать пересечений не удается, их можно осуществить, используя обкладки конденсаторов, формируя дополнительные контакты к коллекторным областям транзисторов, применяя диффузионные перемычки,инаконец, создавая дополнительный слой изоляции между пересекающимися проводниками;

10) первую контактную площадку располагают в нижнем левом углу кристалла и отличают от остальных по ее положению относительно фигур совмещения или заранее оговоренных элементов топологии.

Нумерацию остальных контактных площадок проводят против часовой стрелки. Контактные площадки располагают в зависимости от типа выбранного корпуса по периметру кристалла или по двум противоположным его сторонам;

11) фигуры совмещения располагают одной-двумя группа-

ми на любом свободном месте кристалла; 12) при разработке аналоговых ИМС элементы входных

дифференциальных каскадов должны иметь одинаковую топологию и быть одинаково ориентированными в плоскости кристалла; для уменьшения тепловой связи входные и выходные каскады должны быть максимально удалены; для уменьшения высокочастотной связи через подложку контакт к ней следует осуществлять в двух точках – вблизи входных и выходных каскадов.

Рекомендации по разработке эскиза топологии. Для обеспечения разработки эскиза топологии рекомендуется с самого начала вычертить принципиальную электрическую схему так, чтобы ее выводы были расположены в необходимой последовательности. Каждая линия, пересекающая резистор на принципиальной электрической схеме, будет соответствовать металлизированной дорожке, пересекающей диффузионный резистор по окислу на топологической схеме.

На этапе эскизного проектирования топологии необходимо предусмотреть решение следующих задач: расположить как можно большее число резисторов в одной изолированной области; подать наибольший потенциал на изолированную область, где размещены резисторы; подать наиболее отрицательный потенциал на подложку вблизи мощного транзистора выходного каскада; рассредоточить элементы, на которых рассеиваются большие мощности; расположить элементы с наименьшими размерами и с наименьшими запасами на совмещение в центре эскиза топологии; сократить число изолированных областей и уменьшить периметр каждой изолированной области.

В случае, если принципиальная электрическая схема содержит обособленные группы или периодически повторяющиеся группы элементов, объединенных в одно целое с точки зрения выполняемых ими функций, разработку рекомендуется начинать с составления эскизов топологии для отдельных групп элементов, затем объединить эти эскизы в один, соответствующий всей схеме.

На основе эскиза разрабатывают предварительный вариант топологии, который вычерчивают на миллиметровой бумаге в выбранном масштабе, обычно 100:1 или 200:1 (выбирают мас-

штабы, кратные 100). Топологию проектируют в прямоугольной системе координат. Каждый элемент топологии представляет собой замкнутую фигуру со сторонами, состоящими из отрезков прямых линий, параллельных осям координат. Придание элементам форм в виде отрезков прямых линий, непараллельных осям координат, допустимо только в тех случаях, когда это приводит к значительному упрощению формы элемента. Например, если форма элемента состоит из ломаных прямых, составленных в виде «ступенек» с мелким шагом, рекомендуется заменить их одной прямой линией. Координаты всех точек, расположенных в вершинах углов ломаных линий, должны быть кратны шагу координатной сетки.

В процессе вычерчивания топологии для получения оптимальной компоновки возможно изменение геометрии пассивных элементов, например пропорциональное увеличение длины и ширины резисторов или их многократный изгиб, позволяющие провести над резистором полоски металлической разводки или получить более плотную упаковку элементов. При изменении формы пассивных элементов в процессе их размещения проводят корректировочные расчеты.

При проектировании слоя металлизации размеры контактных площадок и проводников следует брать минимально допустимыми, а расстояния между ними – максимально возможными.

После выбора расположения элементов и контактных площадок, создания рисунка разводки необходимо разместить на топологии фигуры совмещения, тестовые элементы (транзисторы, резисторы и т.д. – приборы, предназначенные для замера электрических параметров отдельных элементов схемы), реперные знаки. Фигуры совмещения могут иметь любую форму (чаще всего квадрат или крест), причем надо учесть, что на каждом фотошаблоне, кроме первого и последнего, имеются две фигуры, расположенные рядом друг с другом. Меньшая фигура предназначена для совмещения с предыдущей технологической операцией, а большая – с последующей. На первом фотошаблоне расположена только большая фигура, а на последнем – только меньшая.

При разработке топологии важно получить минимальную площадь кристалла ИМС. Это позволяет увеличить производительность, снизить материалоемкость и повысить выход годных

ИМС, поскольку на одной полупроводниковой пластине можно разместить большее число кристаллов и уменьшить вероятность попадания дефектов, приходящихся на кристалл. При размерах стороны кристалла до 1 мм ее величину выбирают кратной 0,05 мм, а при размерах стороны кристалла 1…2 мм – кратной 0,1 мм.

Для любой принципиальной электрической схемы можно получить много приемлемых предварительных вариантов топологии, удовлетворяющих электрическим, технологическим и конструктивным требованиям. Любой предварительный вариант подлежит дальнейшей доработке.

Если после уплотненного размещения всех элементов на кристалле выбранного размера осталась незанятая площадь, рекомендуется перейти на меньший размер кристалла. Если этот переход невозможен, то незанятую площадь кристалла можно использовать для внесения в топологию изменений, направленных на снижение требований к технологии изготовления полупроводниковой ИМС. Например, можно увеличить размеры контактных площадок и расстояния между контактными площадками, ширину проводников и расстояние между ними, по возможности выпрямить элементы разводки, резисторы, границы изолированных областей. Пример общего вида топологии приведен на рис. 5.25.

Проверка правильности разработки топологии ИМС. По-

следний из составленных и удовлетворяющий всем требованиям вариант топологии подвергают проверке в такой последовательности. Проверяют соответствие технологическим ограничениям: минимальных расстояний между элементами, принадлежащими одному и разным слоям ИМС; минимальных размеров элементов, принятых в данной технологии, и других технологических ограничений; наличия фигур совмещения для всех слоев ИМС; размеров контактных площадок для присоединения гибких выводов; расчетных размеров элементов их размерам на чертеже топологии; мощности рассеяния резисторов, максимально допустимой удельной мощности рассеяния, а также обеспечение возможности контроля характеристик элементов ИМС.

						Таблица 1
	Элементы структуры				Используемый материал		Поверхност-
							ное сопротив
	Наименование				Наименование
	Подложка
	Эпитаксиальный
					Трехбромный бор
	Разделительная
	Базовая область				Трехбромный бор
	Эмиттерная				Треххлористый
					фосфор ОС 449-4
	Металлизация				Алюминий А99
	Скрытый слой				Трехокись сурьмы
	Изолирующая				SiO2
	Пассивирующая				SiO2
	пленка не показ.

1.Все размеры на чертеже даны в мкм

2. Характеристики и данные по изготовлению отдельных слоев приведены в таблице 1

3. Нумерация контактных площадок и обозначения элементов показаны условно

4. Элементы в слоях выполнять по таблицам координат, приведенным на соответствующих листах чертежа

Кристалл

6 КЭФ 4,5 / 3, 5 КЭС 15 60 200КДБ 10(100)

Рис. 5.25 – Общий вид топологии ИМС на биполярных транзисторах

Топологией интегральной микросхемы является зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной схемы и связей между ними (ст. 1 Закона Республики Беларусь «О правовой охране топологий интегральных микросхем»).

Интегральная микросхема – это микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, предназначенное для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала, на основе которого изготовлено изделие. Однако объектом правовой охраны является сама топологическая схема .

Разработка топологии требует значительных интеллектуальных усилий, затрат времени и материальных ресурсов. Поэтому результат труда разработчиков микросхемы нуждается в правовой охране, защищающей топологию от копирования конкурентами.

Правовая охрана распространяется только на оригинальную топологию, т.е. созданную в результате творческой деятельности автора. При этом топология признается оригинальной до тех пор, пока не доказано обратное. Одним из доказательств отсутствия оригинальности может служить общеизвестность топологии разработчикам и изготовителям интегральной микросхемы на дату ее издания. Топология, состоящая из элементов, общеизвестных разработчикам и изготовителям интегральной микросхемы, охраняется только в том случае, если совокупность таких элементов в целом является оригинальной.

Правовая охрана топологии в Республике Беларусь предоставляется на основании ее регистрации в патентном органе. Право на топологию охраняется государством и удостоверяется свидетельством. Свидетельство на топологию удостоверяет авторство, приоритет топологии и исключительное право на ее использование. Объем правовой охраны, предоставляемой топологии, определяется совокупностью ее элементов и связей, представленных в депонируемых материалах.

Исключительное право на использование топологии действует в течение 10 лет. При этом особенностью определения срока действия данного права является то, что началом срока его действия является либо дата первого использования топологии, либо дата регистрации топологии в патентном органе, в зависимости от того, какая из указанных дат имела место раньше.

13. Субъекты патентного права. Авторы и патентообладатели

Авторство в отношении изобретения, полезной модели, промышленного образца, селекционного достижения презюмируется. При подаче заявки на получение патента не требуется документально подтверждать авторство в отношении заявляемого решения или селекционного достижения. Лицо, указанное автором в выданном патенте, считается таковым, пока этот патент не будет оспорен и другое лицо не докажет свое авторство.

Если объект права промышленной собственности создан совместным творческим трудом нескольких граждан, то все они признаются авторами (т. е. соавторами). Порядок пользования правами на такой объект определяется соглашением между соавторами. Не признаются соавторами физические лица, не внесшие личного творческого вклада в создание любого объекта права промышленной собственности, оказавшие автору или соавторам только техническую, организационную или материальную помощь либо только способствовавшие оформлению прав на соответствующий объект права промышленной собственности и его использованию.

Не признаются соавторами должностные лица, которые содействовали автору в силу того, что они руководят организацией и поэтому выполняют различные мероприятия, способствовавшие созданию объектов права промышленной собственности. Не порождает соавторства и высказанная идея, не содержащая возможного решения задачи и его описания.

Патентообладателем является юридическое или физическое лицо, на имя которого зарегистрирован патент.

Патентообладателем лицо может стать несколькими способами: получить патент, приобрести патент у другого лица или получить патент в порядке правопреемства. Поэтому основания для обладания патентом можно подразделить на первоначальные и производные.

Патентное законодательство определяет круг лиц, которые могут стать первоначальными патентообладателями.В соответствии со ст. 4 Закона «О патентах на изобретения, полезные модели, промышленные образцы» право на получение патента принадлежит:

Физическому или юридическому лицу, являющемуся нанимателем автора изобретения, полезной модели, промышленного образца, в определенных Законом случаях случаях;

Физическому и (или) юридическому лицу или нескольким физическим и (или) юридическим лицам (при условии их согласия), которые указаны автором (соавторами) в заявке на выдачу патента либо в заявлении, поданном в патентный орган до момента регистрации изобретения, полезной модели, промышленного образца;

Правопреемнику (правопреемникам) указанных выше лиц.

В соответствии со ст. 5 Закона «О патентах на сорта растений» патент на сорт растения выдается:

гражданину (гражданам) или юридическому лицу (лицам), которые указаны автором (авторами) в заявке или в заявлении, поданном в патентное ведомство до момента регистрации сорта, при наличии договора;